公开(公告)号：CN106104768B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201580012852.5

申请日：2015-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 安田健太 ,  久保田徹 ,  近藤崇 ,  石田胜广

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。

公开(公告)号：CN106104768A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012852.5

申请日：2015-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 安田健太 ,  久保田徹 ,  近藤崇 ,  石田胜广

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。

公开(公告)号：CN102800552A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210277320.2

申请日：2010-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够防止对后续工序的处理产生恶劣影响。在基座（12）载置晶片（W）之后，当缩小形成于上部光致抗蚀剂层（40）的开口部（41）的宽度时，仅对基座（12）施加等离子体生成用的高频电力，由CF4气体和CH4气体产生等离子体，当通过宽度被缩小的开口部（41）在硬掩模层（39）形成开口部（42）的同时，缩小该开口部（42）的宽度时，对基座（12）施加离子引入用和等离子体生成用的高频电力，由CF4气体、CH4气体、和O2气体产生等离子体，进而，当缩小形成于下部光致抗蚀剂层（38）的开口部（43）的宽度时，仅对基座（12）施加等离子体生成用的高频电力，由C4F8气体和O2气体产生等离子体。

公开(公告)号：CN101826455B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010129334.0

申请日：2010-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够防止对后续工序的处理产生恶劣影响。在基座(12)载置晶片(W)之后，当缩小形成于上部光致抗蚀剂层(40)的开口部(41)的宽度时，仅对基座(12)施加等离子体生成用的高频电力，由CF4气体和CH4气体产生等离子体，当通过宽度被缩小的开口部(41)在硬掩模层(39)形成开口部(42)的同时，缩小该开口部(42)的宽度时，对基座(12)施加离子引入用和等离子体生成用的高频电力，由CF4气体、CH4气体、和O2气体产生等离子体，进而，当缩小形成于下部光致抗蚀剂层(38)的开口部(43)的宽度时，仅对基座(12)施加等离子体生成用的高频电力，由C4F8气体和O2气体产生等离子体。

公开(公告)号：CN106104769B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201580013158.5

申请日：2015-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明的课题是能够有效地抑制所谓的倾斜现象，实现生产效率的提高和生产成本的降低。解决手段为，在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，在上部电极(26)的上部配置有电磁铁(32)。电磁铁(32)具有磁芯部件(34)和线圈(36、38、40、42)。磁芯部件(34)具有一体形成有柱状部(44)、多个圆筒部(46、48、50、52)和背板部(54)的构造。电磁铁驱动电路(56)在控制部(60)的控制之下，不仅能够择一地对线圈(36、38、40、42)中的任一者以任意的励磁电流通电，能够在任意的组合下同时对多个线圈以共同或者单独的任意的励磁电流通电。

公开(公告)号：CN106104769A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013158.5

申请日：2015-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明的课题是能够有效地抑制所谓的倾斜现象，实现生产效率的提高和生产成本的降低。解决手段为，在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，在上部电极(26)的上部配置有电磁铁(32)。电磁铁(32)具有磁芯部件(34)和线圈(36、38、40、42)。磁芯部件(34)具有一体形成有柱状部(44)、多个圆筒部(46、48、50、52)和背板部(54)的构造。电磁铁驱动电路(56)在控制部(60)的控制之下，不仅能够择一地对线圈(36、38、40、42)中的任一者以任意的励磁电流通电，能够在任意的组合下同时对多个线圈以共同或者单独的任意的励磁电流通电。

公开(公告)号：CN102800552B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210277320.2

申请日：2010-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够防止对后续工序的处理产生恶劣影响。在基座（12）载置晶片（W）之后，当缩小形成于上部光致抗蚀剂层（40）的开口部（41）的宽度时，仅对基座（12）施加等离子体生成用的高频电力，由CF4气体和CH4气体产生等离子体，当通过宽度被缩小的开口部（41）在硬掩模层（39）形成开口部（42）的同时，缩小该开口部（42）的宽度时，对基座（12）施加离子引入用和等离子体生成用的高频电力，由CF4气体、CH4气体、和O2气体产生等离子体，进而，当缩小形成于下部光致抗蚀剂层（38）的开口部（43）的宽度时，仅对基座（12）施加等离子体生成用的高频电力，由C4F8气体和O2气体产生等离子体。

公开(公告)号：CN101826455A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010129334.0

申请日：2010-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够防止对后续工序的处理产生恶劣影响。在基座(12)载置晶片(W)之后，当缩小形成于上部光致抗蚀剂层(40)的开口部(41)的宽度时，仅对基座(12)施加等离子体生成用的高频电力，由CF4气体和CH4气体产生等离子体，当通过宽度被缩小的开口部(41)在硬掩模层(39)形成开口部(42)的同时，缩小该开口部(42)的宽度时，对基座(12)施加离子引入用和等离子体生成用的高频电力，由CF4气体、CH4气体、和O2气体产生等离子体，进而，当缩小形成于下部光致抗蚀剂层(38)的开口部(43)的宽度时，仅对基座(12)施加等离子体生成用的高频电力，由C4F8气体和O2气体产生等离子体。