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公开(公告)号：CN102646628A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210097778.X
申请日：2007-10-09
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。
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公开(公告)号：CN102301279A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005946.7
申请日：2010-01-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/54 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F220/30 , C08F220/58 , G03F7/0045
Abstract: 一种感光性绝缘树脂组合物，其特征在于，包含聚合物、感光剂和下述通式(1)所示的酰胺衍生物，下式(1)中，R1为2价的烷基，R2为碳原子数1～10的烃基，R3为氢原子或碳原子数1～4的烷基。
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公开(公告)号：CN101356641B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200680050392.6
申请日：2006-12-20
IPC: H01L23/12
Abstract: 半导体搭载用布线基板(5)，至少具有：绝缘膜(1)；在绝缘膜(1)中形成的布线(2)；多个电极凸台(4)，这些电极凸台(4)在绝缘膜(1)的正反两面中露出表面地设置，而且其侧面的至少一部分被绝缘膜(1)埋设；以及连接布线(2)与电极凸台(4)的过孔(3)。用第1材料来形成连接布线(2)与电极凸台(4)的过孔(3)。将在绝缘膜(1)中形成的布线(2)彼此连接的至少一个过孔(3a)，包含与第1材料不同的第2材料。半导体搭载用布线基板(5)有利于在半导体器件的高集成化、高速化或多功能化情况下的端子数量的增加及端子间隔的狭小间距化，特别是能够在基板两面高密度而且高精度地搭载半导体器件、可靠性也优异。
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公开(公告)号：CN101836289A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112660.1
申请日：2008-10-22
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置，消除由于最终的半导体装置中的内部应力集中造成的可靠性不良，并实现更高密度、薄型、低成本。半导体装置具有：半导体元件；支撑基板，被配置在半导体元件的设置有焊盘的面的相反面上，并且该支撑基板的面积大于半导体元件的面积；埋设绝缘层，用于将半导体元件埋设在支撑基板上；扇出布线，从焊盘被引出到埋设绝缘层上且半导体元件的外周侧的区域；和布线厚度加强部，被配置在半导体元件的外周部的上方的预定区域，并且加强埋设绝缘层和扇出布线的机械强度。
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公开(公告)号：CN101536181A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041277.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541791C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710101059.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 第一电子电路组件以及第二电子电路组件分别通过第一焊料以及第二焊料电连接到导电部件。导电部件形成在树脂膜中。导电部件被配置为包括第二扩散阻挡金属膜。第二扩散阻挡金属膜防止第二焊料的扩散。在导电部件以及第一焊料之间配置第一扩散阻挡金属膜。第一扩散阻挡金属膜防止第一焊料的扩散。在树脂膜的第一表面上以及在导电部件上，形成粘合金属膜使其与树脂膜以及导电部件相接触。与第一焊料以及第一扩散阻挡金属膜的任何一个相比，粘合金属膜与树脂膜的粘合性更强。
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公开(公告)号：CN101106121A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136413.2
申请日：2007-07-16
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K3/205 , H05K3/4644 , H05K2201/09018 , H05K2201/09481 , H05K2201/09781 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种布线基板，包括基底绝缘膜、在基底绝缘膜的顶部表面侧上形成的第一互连、在基底绝缘膜中形成的通孔中提供的通孔导体、以及在基底绝缘膜的底部表面侧上形成的第二互连，该第二互连经由通孔导体连接到第一互连。布线基板包括分开的基板单元区域，在每个基板单元区域中形成第一互连、通孔导体和第二互连。布线基板包括基底绝缘膜上的扭曲控制图案，并且具有扭曲形状，由此当使布线基板静止在水平板上时，至少基板的平面表面的每个边的中心部分与水平板接触并且该边的两个端部被升起，其中每个边沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN1819176A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006815.6
申请日：2006-02-07
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H05K1/113 , H05K3/107 , H05K3/4682 , H05K2201/09472 , H05K2201/096 , H05K2203/0384 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种互连衬底具有：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部；位于凹陷部中的第一互连；形成在基底绝缘膜中的通路孔；以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中互连衬底包括：由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形；以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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公开(公告)号：CN1391283A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02123012.9
申请日：2002-06-13
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/108 , C23C16/405 , C23C16/45525 , G11C11/404 , G11C2207/104 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/65 , H01L28/90
Abstract: 提供能够减少漏电流并且增加电容量的薄膜电容器。上部电极3及下部电极1是由选自TiN，Ti，W，WN，Pt，Ir，Ru的金属或者金属氮化物中的至少一种构成的。电容绝缘膜2则2由选自利用原子层淀积(Atomic Layer Deposition：以下称为ALD)法形成的ZrO2，HfO2，(Zrx，Hf1－x)O2(0＜x＜1)，(Zry，Ti1－y)O2(0＜y＜1)，(Hfz，Ti1－z)O2(0＜z＜1)或者(Zrk，Ti1，Hfm)O2(0＜k，1，m＜1并且k+1+m＝1)中的至少一种材料构成。
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公开(公告)号：CN101320716B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810125539.4
申请日：2008-06-10
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L2221/68345 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/15174 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板，并提供剥离材料。然后，定位半导体元件使得电极端子面朝上，且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件；且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后，通过使用剥离材料，从半导体器件上剥离透明基板。因而，能够高精度地安装芯片，在制造过程中在基底上安装芯片期间不需要提供定位标记，并且能够容易地去除基底。结果，能够以低成本制造具有高密度和薄外形的半导体器件。
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