公开(公告)号：CN1391283A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02123012.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 饭塚敏洋 ,  山本朝惠 ,  户田麻美 ,  山道新太郎

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/108 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/104 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 提供能够减少漏电流并且增加电容量的薄膜电容器。上部电极3及下部电极1是由选自TiN，Ti，W，WN，Pt，Ir，Ru的金属或者金属氮化物中的至少一种构成的。电容绝缘膜2则2由选自利用原子层淀积(Atomic Layer Deposition：以下称为ALD)法形成的ZrO2，HfO2，(Zrx，Hf1－x)O2(0＜x＜1)，(Zry，Ti1－y)O2(0＜y＜1)，(Hfz，Ti1－z)O2(0＜z＜1)或者(Zrk，Ti1，Hfm)O2(0＜k，1，m＜1并且k+1+m＝1)中的至少一种材料构成。