公开(公告)号：CN105103277B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480011857.1

申请日：2014-03-12

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  德光永辅 ,  尾上允敏 ,  宫迫毅明

IPC: H01L21/316 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01G53/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02269 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L29/513

Abstract: 提供一种可压低漏电流并且平坦性优异的相对介电常数高的电介质层。本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物(可包含不可避免的杂质)构成。

公开(公告)号：CN103882406B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201310711879.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池川宽晃 ,  上西雅彦 ,  高桥宏辅 ,  小堆正人 ,  小川淳

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。

公开(公告)号：CN105552116A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201410596532.6

申请日：2014-10-30

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李季儒 ,  王尧展 ,  何念葶 ,  许启茂 ,  苏冠丞 ,  陈面国 ,  杨晓光 ,  姚芳弘 ,  戴圣辉 ,  李宗霖

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构与其形成方法，该金属栅极结构形成在一介电层的一沟槽中，该金属栅极结构包含一功函数金属层设置在沟槽中，功函数金属层包含一底部以及一侧部，其中底部的一厚度与侧部的一厚度的比值为2至5，以及一金属层填满该沟槽。本发明还提供了一种形成金属栅极结构的方法。

公开(公告)号：CN102089258B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980126610.3

申请日：2009-06-23

Applicant: JX日矿日石金属株式会社

Inventor： 佐藤和幸 ,  小井土由将

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/462 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9669 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及一种氧化镧基烧结体，以氧化镧作为基础成分，含有氧化钛、氧化锆、氧化铪的一种或两种以上，其余为氧化镧和不可避免的杂质。还涉及一种氧化镧基烧结体的制造方法，使用La2(CO3)3粉末或La2O3粉末作为氧化镧原料粉末，使用TiO2、ZrO2、HfO2粉末的一种或两种以上作为添加氧化物，将其以用金属换算添加氧化物的金属成分的组成比为规定值的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末，然后将该合成粉末进行热压得到烧结体。本发明可以防止与水分或二氧化碳结合形成氢氧化物等而变为粉末状，可以长期保存。另外，本发明提供通过使用该溅射靶进行成膜，可以高效且稳定地提供High-K栅绝缘膜用氧化物的技术。

公开(公告)号：CN102224578B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN200980114912.9

申请日：2009-09-02

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 中川隆史 ,  北野尚武 ,  辰巳彻

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/518 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/79 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 公开的是一种具有高介电常数和高温耐热性的介电膜。在一个实施方案中的介电膜(103)包括含有元素A、元素B以及含有N和O的复合氮氧化物，元素A由Hf构成，元素B由Al或Si构成，该介电膜(103)中元素A、元素B和N的摩尔分数根据B/(A+B+N)为0.015至0.095以及根据N/(A+B+N)为0.045以上，该介电膜(103)具有结晶结构。

公开(公告)号：CN103545241A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210244781.X

申请日：2012-07-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 尹海洲 ,  张珂珂

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7846

Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩模层；光刻/刻蚀硬掩模层和衬底，形成多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，第一沟槽沿第一方向，第二沟槽沿垂直于第一方向的第二方向，并且第二沟槽的体积大于第一沟槽的体积；在第一和第二沟槽中沉积绝缘材料；平坦化绝缘材料、硬掩模层直至暴露衬底，形成浅沟槽隔离。依照本发明的浅沟槽隔离制造方法，在沟道宽度方向刻蚀填充较深、较宽的浅沟槽隔离，而在沟道长度方向刻蚀填充较浅、较窄的浅沟槽隔离，同时向NMOS和PMOS施加应力，增大其沟道区载流子迁移率，从而提高器件整体驱动能力。

公开(公告)号：CN101651120B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200910158476.7

申请日：2009-07-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 荣森贵尚 ,  三濑信行

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明的目的在于提高使用高介电率膜的栅绝缘膜的MIS晶体管的晶体管特性。在衬底的主面上形成的氧化硅(SiO2)膜上，形成含有铪和氧的基底绝缘膜。然后，在基底绝缘膜上形成比基底绝缘膜薄、并且只由金属元素构成的金属薄膜，并在该金属薄膜上形成具有耐湿性和耐氧化性的保护膜。然后，在具有保护膜的状态下，通过将金属薄膜的金属元素全部在基底绝缘膜中扩散，在氧化硅膜上形成比氧化硅膜厚且比氧化硅的介电率高的、含有基底绝缘膜的铪和氧以及金属薄膜的金属元素的混合膜(高介电率膜)。

公开(公告)号：CN102007583B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980112823.0

申请日：2009-09-02

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 北野尚武 ,  中川隆史 ,  辰巳彻

IPC: H01L21/318 ,  C23C14/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/42324 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/225 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供具有高介电常数的介电膜的制造方法。本发明的实施方式是在基板上制造包括包含由Hf或Hf和Zr的混合物构成的元素A、由Al构成的元素B、以及N和O的金属氮氧化合物的介电膜的方法。所述制造方法包括以下步骤：形成具有非晶态结构的金属氮氧化合物，其中，所述金属氮氧化合物的元素A、元素B和N的表示为B/(A+B+N)的摩尔分数为0.015≤B/(A+B+N)≤0.095，元素A、元素B和N的表示为N/(A+B+N)的摩尔分数为0.045≤N/(A+B+N)，并且元素A和O的表示为O/A的摩尔分数为1.0＜O/A＜2.0；以及对具有非晶态结构的所述金属氮氧化合物进行700℃以上的退火处理，从而形成包括立方晶体混入百分比为80％以上的晶相的金属氮氧化合物。

公开(公告)号：CN101416314B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780012344.2

申请日：2007-02-16

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 卢泰元 ,  尹钟杰 ,  李桢赫

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/02194 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  H01F1/407 ,  H01F10/002 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L41/16 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/325

Abstract: 本发明涉及将下述式(1)表示的材料形成具有六方晶体结构的层，其不同于该材料体相的斜方晶体结构，因此通过获得增强的多重铁性，该材料比传统的多重铁性材料可更有效地用于要求多重铁性的各种领域。RMnO3，(R代表镧系元素)...(1)。

公开(公告)号：CN102036918A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118276.7

申请日：2009-05-25

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 长田实 ,  佐佐木高义

IPC: C01G33/00 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

CPC classification number: C01G33/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/20 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5454 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  Y10T156/10

Abstract: 通过附着铌酸纳米片的单层或者多层而得到电介质膜，另外在该电介质膜的表面上配置其他电极，构成电介质膜，得到电介质元件，由此提供即使在纳米领域也同时实现高介电常数和良好的绝缘特性的电介质元件。另外，完全排除制造工序中的热退火引起的基板界面的劣化和随之的组成偏差、电不一致性的课题、和薄膜化达到纳米水平时相对介电常数降低，漏电流增大的“尺寸效果”这样的本质问题，也可以提供活用铌酸纳米片具有的单独物性以及高组织、结构控制性、并且在不受基板界面劣化、组成偏差影响的低温下制造元件的方法。