公开(公告)号：CN105088185B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510236638.X

申请日：2015-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷武司 ,  尾谷宗之

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/06 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584

Abstract: 本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO2的连续膜；及在上述TiO2的连续膜上形成厚度厚于上述TiO2膜的厚度的TiN的连续膜。

公开(公告)号：CN106409651B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201510784312.0

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  李达元 ,  李欣怡 ,  蔡明兴 ,  曹学文 ,  张文 ,  洪英杰 ,  林逸宏

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/28088 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含金属层执行基于氯的处理。使用原子层沉积(ALD)在第一含金属层和第二含金属层上沉积第三含金属层。

公开(公告)号：CN109716865A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780053320.5

申请日：2017-08-30

Applicant: 倍耐克有限公司

Inventor： 赫莉·塞佩宁 ,  汤米·图尔库莱宁 ,  卡利·海尔克宁

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/20 ,  H05B33/14 ,  C23C16/40 ,  C09K11/57 ,  C09K11/08 ,  C23C16/455

CPC classification number: H05B33/145 ,  C09K11/574 ,  C23C16/306 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 用于制造无机薄膜电致发光显示器元件的方法包括形成层结构，所述形成层结构包括：形成第一电介质层(11)；在第一电介质层上形成包括掺杂锰的硫化锌(ZnS:Mn)的发光层(12)；以及在发光层上形成第二电介质层(13)。第一电介质层和第二电介质层中的每一个形成为包括具有交替的氧化铝Al2O3子层和氧化锆ZrO2子层的纳米层叠件。

公开(公告)号：CN108701587A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013847.5

申请日：2017-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 尼哈尔·莫汉蒂 ,  利奥尔·胡利 ,  杰弗里·史密斯 ,  理查德·法雷尔

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02359 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0332

Abstract: 本文的技术提供了用于沉积旋涂金属材料的方法以创建在沉积物中没有空隙的金属硬掩模(MHM)结构。这包括有效旋涂沉积TiOx、ZrOx、SnOx、HFOx、TaOx等。这样的材料可有助于提供材料蚀刻耐性的差异以进行差异化。通过使旋涂金属硬掩模(MHM)能够与多线层一起使用，可以有效地使用基于狭缝的或自对准阻挡的策略。本文的技术包括确定填充给定浮雕图案中的特定开口的填充材料，改变开口内的表面的表面能值使得液体形式的填充材料与侧壁或底表面之间的界面的接触角值能够实现无间隙或无空隙的填充。

公开(公告)号：CN108695255A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711120779.0

申请日：2017-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  康珉材 ,  李周利

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/02656 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/458 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/0886

Abstract: 一种制造集成电路装置的方法和一种根据该方法制造的集成电路装置，所述方法包括：在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键的前驱体；蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；在氢(H2)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

公开(公告)号：CN108660434A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810264470.7

申请日：2018-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山田匠 ,  东条行雄

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45544

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在所述规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。

公开(公告)号：CN108623328A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810074077.1

申请日：2018-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·菲鲁兹多尔 ,  S·班达 ,  R·丁德萨 ,  D·卞 ,  D·M·勒夫尔

IPC: C04B41/87 ,  C04B41/85 ,  C04B41/89 ,  H01L21/683 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32477 ,  C04B41/87 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/52 ,  C04B41/85 ,  C04B41/89 ,  C23C16/40 ,  H01L21/6833 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5032 ,  C04B41/522 ,  C04B41/5042

Abstract: 公开了多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到多孔腔室部件的表面上并沉积到所述多孔腔室部件内的孔隙壁上的制品、系统和方法。多孔腔室部件可以包括多孔主体，多孔主体包括多孔主体内的多个孔隙，多个孔隙各自包括孔隙壁。多孔主体对气体是可渗透的。抗等离子体涂层可以包含Y2O3-ZrO2固溶体并且可以具有约5nm至约3μm的厚度，并且可以保护孔隙壁不受侵蚀。具有抗等离子体涂层的多孔主体保持对气体是可渗透的。

公开(公告)号：CN108495856A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780007708.1

申请日：2017-01-17

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： F·阿贝尔斯 ,  D·勒夫勒 ,  H·威尔默 ,  R·沃尔夫 ,  C·罗德 ,  P·比舍尔贝格尔

IPC: C07F9/6568 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F9/65686 ,  C07F15/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明属于在衬底上产生无机薄膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。特别地，本发明涉及一种包括使通式(I)化合物Ln---M---Xm(I)变为气态或气溶胶态，并将通式(I)化合物由气态或气溶胶态沉积至固体衬底上的方法，其中M为金属，L为与M配位的配体，且其含有至少一个磷-碳多重键，其中L含有含磷杂环或磷-碳三键，X为与M配位的配体，n为1-5，且m为0-5。

公开(公告)号：CN108004523A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711057557.9

申请日：2017-11-01

Applicant: ASM ,  IP控股有限公司

Inventor： J·P·陈 ,  F·阿洛克塞

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L29/49 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L21/28568 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L29/4966 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

Abstract: 提供了用于通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关的半导体装置结构。在一些实施方式中，方法可包括使基材与包含过渡金属前体的第一反应物接触，使基材与包含铌前体的第二反应物接触，+和使基材与包含氮前体的第三反应物接触。在一些实施方式中，相关的半导体装置结构可包含半导体主体和包含在半导体主体上沉积的过渡金属铌氮化物的电极。

公开(公告)号：CN107988586A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711224526.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 廖荣

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/407 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种原子层沉积制备氧化锌纳米管的方法。将具有多孔结构的聚碳酸酯薄膜置于原子层沉积设备的反应腔内，然后分别以惰性气体携带的DEZn和H2O作为气相前驱体，脉冲交替地通入反应腔并在多孔结构的聚碳酸酯薄膜基体上化学吸附并反应沉积氧化锌；打磨去除聚碳酸酯薄膜基体表面的氧化锌，然后使用溶剂溶解去除聚碳酸酯薄膜基体，得到氧化锌纳米管。本发明以惰性气体携带的DEZn和H2O作为气相前驱体，在具有多孔结构的聚碳酸酯薄膜上通过原子层沉积制备ZnO纳米管，所得ZnO纳米管具有尺寸精度高、形貌均匀的优点。