公开(公告)号：CN1246733A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99119259.1

申请日：1999-08-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记 ,  饭塚敏洋

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 一种在每个存储单元中包括一个MOSFET和一个迭式电容器的DRAM。迭式电容器包括一个基本上为圆柱型的下电极、一个容纳于圆柱型下电极中的上电极、一层在其间起隔离作用的电容器电介质膜。下电极的圆柱型形状允许在电容器和电容器触点之间的较大的对准偏差。

公开(公告)号：CN1391283A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02123012.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 饭塚敏洋 ,  山本朝惠 ,  户田麻美 ,  山道新太郎

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/108 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/104 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 提供能够减少漏电流并且增加电容量的薄膜电容器。上部电极3及下部电极1是由选自TiN，Ti，W，WN，Pt，Ir，Ru的金属或者金属氮化物中的至少一种构成的。电容绝缘膜2则2由选自利用原子层淀积(Atomic Layer Deposition：以下称为ALD)法形成的ZrO2，HfO2，(Zrx，Hf1－x)O2(0＜x＜1)，(Zry，Ti1－y)O2(0＜y＜1)，(Hfz，Ti1－z)O2(0＜z＜1)或者(Zrk，Ti1，Hfm)O2(0＜k，1，m＜1并且k+1+m＝1)中的至少一种材料构成。