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公开(公告)号：CN108369956A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680070615.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 美光科技公司
Inventor： A·A·恰范 , D·V·N·拉马斯瓦米 , M·纳哈尔
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/02164 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L27/1159 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L29/6684 , H01L29/78391
Abstract: 一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率。使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的。在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。本发明还揭示独立于制造方法的铁电电容器及铁电场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN107960077A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201680025326.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 利物浦大学
Inventor： 马修·J·罗塞因斯基 , 普拉纳布·曼达尔 , 乔纳森·阿拉里亚 , 约翰·克拉里奇 , 迈克尔·皮彻
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/64 , H01F1/40 , H01F10/193 , H01L49/02
CPC classification number: C04B35/2683 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/62695 , C04B35/6342 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/85 , H01F1/407 , H01F10/1933 , H01L27/11507 , H01L27/222 , H01L28/55 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , C04B2235/656
Abstract: 本发明涉及新的多铁性材料。更具体地，本发明涉及新的多铁性单相陶瓷材料以及由这些材料形成的薄膜，制备这些材料的方法及其作为电子部件和装置中的多铁性材料的用途。
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公开(公告)号：CN103946937B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280056056.8
申请日：2012-11-14
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/012 , H01G4/018 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1272 , H01G4/129 , H01G4/258 , H01L28/55 , H01L28/56 , Y02T10/7022
Abstract: 一种用于提供高比能量密度的电能存储的装置和方法。所述装置包含夹在由多种可能导电材料制成的电极层之间的多个高介电常数材料(如钛酸钡或六方晶系钛酸钡)层。所述装置包括介于电极之间、提供非常高的击穿电压的另外的绝缘层，如类金刚石碳涂层。层由多种方法形成并且被组装以形成所述装置、即高能量密度存储装置。
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公开(公告)号：CN101944675B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201010272560.4
申请日：2010-06-09
Applicant: 泰科电子公司
CPC classification number: C25D9/08 , C25D9/02 , C25D9/04 , C25D13/02 , C25D13/04 , H01G4/1209 , H01G4/40 , H01G13/00 , H01L28/55 , H01L28/75 , H01R13/6587 , H01R13/6599
Abstract: 一种电连接器(100)的复合组件(200)包括导电基体(202，302)和电镀层(204，304，418)。导电基体(202，302)配置为形成电连接器(100)的导电通道。电镀层(204，304，418)沉积到导电基体(202，302)上且包括电介质材料(406)。一种制造电连接器(100)的复合组件(200)的方法(700)，该方法(700)包括提供包括电介质材料(406)的液体电镀槽(404)，并将导电基体(202，302)的至少一部分浸入液体电镀槽(404)。方法(700)还包括在液体电镀槽(404)和导电基体(202，302)之间施加电势，并且将包括电介质材料(406)的电介质层(204，304，418)电镀到导电基体(202，302)上。
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公开(公告)号：CN103151314B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210428275.6
申请日：2012-10-31
Applicant: 富士通半导体股份有限公司
Inventor： 王文生
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/02197 , H01L21/02356 , H01L21/28568 , H01L21/3213 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/65 , H01L28/75
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成导电膜；在所述导电膜上形成第一铁电膜；在所述第一铁电膜上形成非晶态第二铁电膜；在所述第二铁电膜上形成含钌的过渡金属氧化物材料膜；在所述过渡金属氧化物材料膜上形成第一导电金属氧化物膜，而不将所述过渡金属氧化物材料膜暴露于空气；对所述第二铁电膜进行退火并使其结晶化；以及图案化所述第一导电金属氧化物膜、所述第一铁电膜、所述第二铁电膜以及所述导电膜以形成铁电电容器。本发明能够改善铁电电容器的反转电荷量以及压印特性，并且强化包括该铁电电容器的半导体器件的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104350625A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380030277.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 沙特基础工业公司
Inventor： 胡萨姆·N·阿尔沙里夫 , 班萨利·昂纳特 , 穆赫德·阿德南·克翰 , 穆萨·M·萨利赫 , 伊哈布·N·奥德
IPC: H01L49/02 , C08G61/12 , C08L25/18 , H01B1/12 , H01G4/008 , H01G4/14 , H01L23/532 , H01L51/00 , G11C11/22 , H01L27/10
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y10/00 , C08G61/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C08G2261/92 , C08G2261/95 , C08L25/18 , C08L65/00 , G11C11/221 , H01B1/127 , H01B1/128 , H01G4/18 , H01G4/206 , H01G7/06 , H01L27/101 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L51/0001 , H01L51/0037 , H01L51/0591
Abstract: 使用掺杂的导电有机聚合物来形成铁电装置的电极或相互连接件。示例性铁电装置是包括以下各项的铁电电容器：基板(101)；布置于所述基板上的第一电极(106)；布置于所述第一电极上并与其接触的铁电层(112)；以及布置于所述铁电层上并与其接触的第二电极(116)；其中，所述第一电极和第二电极中的至少一个是包含掺杂的导电有机聚合物，例如掺杂DMSO PEDOT-PSS的有机电极。
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公开(公告)号：CN102956565B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210287487.7
申请日：2012-08-13
Applicant: 瑞创国际公司
Inventor： 孙山 , 托马斯·E.·达文波特 , 约翰·克罗宁
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11504 , H01L28/55 , H01L28/90
Abstract: 本发明涉及制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器的方法。本发明公开了一种非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）装置以及一种以镶嵌式自对准F-RAM装置的形式制造非易失性F-RAM装置的方法，镶嵌式自对准F-RAM装置包括建立在氧化物沟槽的侧壁上的PZT电容器，且允许同时形成两个铁电侧壁电容器。
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公开(公告)号：CN104072133A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410055655.9
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01G4/08 , B05D1/38 , B05D3/0254 , C23C16/409 , H01G4/018 , H01G4/06 , H01G4/30 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02356 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件。所述PZT系铁电薄膜通过如下来形成，即在具有下部电极的基板的该下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，通过烧成使其结晶，其中，薄膜由从薄膜表面测定时的平均粒径在500～3000nm的范围的PZT系粒子构成，在薄膜表面上的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与上述PZT系粒子不同性质的微粒。
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公开(公告)号：CN102272918B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080004056.4
申请日：2010-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/0207 , H01L27/11509 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。
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公开(公告)号：CN103987680A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280055282.4
申请日：2012-11-07
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: C04B35/622 , B28B11/10 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/22
CPC classification number: H01L27/1255 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1645 , H01L21/28291 , H01L21/67098 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/317 , H01L41/332 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的一种功能性设备的制造方法包括模压工艺、功能性固体材料层形成工艺。模压工艺中，在对以功能性固体材料前驱体溶液作为起始材料的功能性固体材料前驱体层推压用于形成模压结构的模具的期间的至少一部分时间内，以使对所述功能性固体材料前驱体层供应热量的热源的第一温度高于所述功能性固体材料前驱体层的第二温度的方式，对所述功能性固体材料前驱体层实施模压加工的模压工艺。另外，功能性固体材料层形成工艺中，在所述模压工艺后，在含氧气氛中通过用高于所述第一温度的第三温度对所述功能性固体材料前驱体层进行热处理，从而由所述功能性固体材料前驱体层形成功能性固体材料层。
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