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公开(公告)号：CN101536181B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200780041277.7
申请日：2007-10-09
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。
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公开(公告)号：CN102646628A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210097778.X
申请日：2007-10-09
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。
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公开(公告)号：CN101320716B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810125539.4
申请日：2008-06-10
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L2221/68345 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/15174 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板，并提供剥离材料。然后，定位半导体元件使得电极端子面朝上，且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件；且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后，通过使用剥离材料，从半导体器件上剥离透明基板。因而，能够高精度地安装芯片，在制造过程中在基底上安装芯片期间不需要提供定位标记，并且能够容易地去除基底。结果，能够以低成本制造具有高密度和薄外形的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102106198A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128956.7
申请日：2009-07-23
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/115 , H05K3/4644 , H05K2201/0352 , H05K2201/10674 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/063 , H05K2203/1469 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的半导体装置及其制造方法，半导体装置在布线基板中内置有窄间距、多引脚的半导体元件，能够不降低成品率而实现多层化。多个布线层及绝缘层层叠，半导体元件埋入于绝缘层，设于各绝缘层(15、18、21)的通孔(16、19、22)、或设于各布线层的布线(17、20、23)的至少一个具有与设于其他绝缘层或布线层的通孔或布线不同的剖面形状。
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公开(公告)号：CN102106198B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980128956.7
申请日：2009-07-23
CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/115 , H05K3/4644 , H05K2201/0352 , H05K2201/10674 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/063 , H05K2203/1469 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的半导体装置及其制造方法，半导体装置在布线基板中内置有窄间距、多引脚的半导体元件，能够不降低成品率而实现多层化。多个布线层及绝缘层层叠，半导体元件埋入于绝缘层，设于各绝缘层(15、18、21)的通孔(16、19、22)、或设于各布线层的布线(17、20、23)的至少一个具有与设于其他绝缘层或布线层的通孔或布线不同的剖面形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101536181A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041277.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。
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公开(公告)号：CN100541791C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710101059.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 第一电子电路组件以及第二电子电路组件分别通过第一焊料以及第二焊料电连接到导电部件。导电部件形成在树脂膜中。导电部件被配置为包括第二扩散阻挡金属膜。第二扩散阻挡金属膜防止第二焊料的扩散。在导电部件以及第一焊料之间配置第一扩散阻挡金属膜。第一扩散阻挡金属膜防止第一焊料的扩散。在树脂膜的第一表面上以及在导电部件上，形成粘合金属膜使其与树脂膜以及导电部件相接触。与第一焊料以及第一扩散阻挡金属膜的任何一个相比，粘合金属膜与树脂膜的粘合性更强。
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公开(公告)号：CN101388373B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200810160807.6
申请日：2008-09-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L2924/00013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 一种确保微小通路下的连接可靠性的可靠性高的半导体装置及其制造方法，半导体装置具备：半导体基板(11)；配置在半导体基板(11)上，并且具有至少1个以上的第1布线层、至少1个以上的第1绝缘层及第1通路的第1布线构造体(12)；配置在第1布线构造体(12)上，并且具有至少1个以上的第2布线层(15)、至少1个以上的第2绝缘层(14)、第2通路(16)及第3通路(19)的第2布线构造体(17)；以及设置在第2布线构造体(17)上的外部端子(18)，其中，与第2布线构造体(17)的第2布线层(15)和外部端子(图1的18)接合的第2通路(16)在外部端子(18)侧的端部配置了接合界面(16a)。
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公开(公告)号：CN101604682B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910151811.0
申请日：2007-10-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K3/0058 , H05K3/284 , H05K3/4682 , H05K2201/0195 , H05K2201/09527 , H05K2201/09972 , H05K2203/016 , H05K2203/1469 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明一种电子器件，包括：第一互连层；第二互连层，其配备在所述第一互连层上并具有外部电极端子；以及第一导电插塞，其配备在所述第一互连层中，并且暴露在所述第二互连层侧上的所述第一互连层的表面上；其中形成所述第一互连层的树脂的热分解温度高于形成所述第二互连层的树脂；以及所述第二互连层侧上的所述第一导电插塞的端面的面积大于相对端面的面积。这样构建的电子器件允许采用比形成第一互连层具有更低热分解温度的树脂来形成第二互连层。因此，可以采用相对便宜的树脂用于该第二互连层，同时采用适于微处理的树脂用于该第一互连层。
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公开(公告)号：CN102118919A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010601613.2
申请日：2010-12-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H05K3/4682 , H01L21/4846 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H05K3/205 , H05K3/4644 , H05K3/4647 , H05K2201/09481 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09781 , H05K2201/10545 , H05K2201/10674 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种电子器件和电子器件的制造方法。多层布线衬底具有其中层压第一布线层和第二布线层的构造，其中，第一布线层包括形成在第一绝缘膜中且形成为暴露在第二表面侧的多个第一导电部件，第二布线层包括在与第二表面相反的侧上的第一表面侧上形成的第二绝缘膜中形成的多个第二导电部件。多个第二导电部件分别直接连接到多个第一导电部件中的任一个或通过不同的导电材料连接到多个第一导电部件中的任一个。多个第一导电部件直接连接到多个第二导电部件中的任一个或通过不同的导电材料连接到多个第二导电部件中的任一个，但是包括没有形成与连接的第二导电部件连接的电流路径的虚导电部件。
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