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公开(公告)号：CN103811535B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN103811535A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/28008 , H01L29/0603 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN119999355A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070072.0
申请日：2023-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的实施例涉及单片堆叠场效应晶体管(SFET)处理方法及产生的具有双中间电介质隔离(MDI)分隔的结构。在本发明的非限制性实施例中，形成了第一纳米片，并在所述第一纳米片上方垂直堆叠第二纳米片。在所述第一纳米片的沟道区域和所述第二纳米片的沟道区域周围形成栅极，并在所述第一纳米片和所述第二纳米片之间形成中间电介质隔离结构。所述中间电介质隔离结构包括第一中间电介质隔离层和垂直堆叠在所述第一中间电介质隔离层上方的第二中间电介质隔离层。所述栅极的一部分在所述中间电介质隔离结构中的所述第一中间电介质隔离层和所述第二中间电介质隔离层之间延伸。
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公开(公告)号：CN119698939A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059080.5
申请日：2023-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10D62/10 , H10D84/03 , H10D64/23 , H10D64/27 , H10D30/43 , H10D64/00 , H10D30/01 , H01L23/528 , H01L21/768 , B82Y10/00
Abstract: 环绕源极/漏极区的后侧接触为场效应晶体管和金属化层之间的电连接提供增加的接触面积。在设备层内形成的空腔暴露所选源/漏区的侧壁。后侧接触在此空腔内延伸并且邻接所选择的源极/漏极区的侧壁表面和底表面。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN119234319A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041579.3
申请日：2023-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 与第一晶体管相邻的第一源漏区、与第二晶体管相邻的第二源漏区、在第一源漏区上方的上源漏接触、在第二源漏区下方的底部源漏接触，底部源漏接触和上源漏接触在相对两侧上，底部源漏接触的水平表面与围绕第二源漏区的介电侧间隔体的水平表面相邻。在实施例中，底部源漏接触围绕源漏区的垂直侧。一种方法，包括形成第一和第二纳米片堆叠，形成与第一纳米片堆叠相邻的第一源漏区的顶部源漏接触，形成与第二纳米片堆叠相邻的第二源漏区的下水平表面的底部源漏接触。
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公开(公告)号：CN118056488A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280067364.4
申请日：2022-10-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10N30/01 , H10N30/074 , H10N30/85 , H10N30/87
Abstract: 一种相变存储器设备，包括：底部电极；直接接触所述底部电极的顶表面的交替的电导体层的堆叠；直接接触所述堆叠的顶表面的金属柱；直接接触所述金属柱的顶表面的相变材料元件；以及所述相变材料元件上的顶部电极，其中所述金属柱的横向尺寸小于所述堆叠的横向尺寸。
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公开(公告)号：CN113491014B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202080016969.1
申请日：2020-02-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，非平面沟道区被形成为具有第一半导体层(208)、第二半导体层(206)以及位于第一半导体层(208)与第二半导体层(206)之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括：在衬底(204)之上形成纳米片堆叠体；通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽(502)；以及在所述沟槽(502)中形成第三半导体层(602)。所述第一半导体层(208)、所述第二半导体层(206)和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。
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