公开(公告)号：CN116529874A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180069074.9

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·F·马尼斯卡科 ,  郑镇权 ,  本山幸一 ,  O·范德斯特拉滕 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H01L23/48

Abstract: 一种柱凸块结构及其形成方法，包括在半导体衬底上形成覆盖衬里，接着形成包括贵金属的籽晶层。在籽晶层直接上方形成第一光致抗蚀剂层，随后在光致抗蚀剂层内形成第一多个开口。在第一多个开口的每一个内沉积第一导电材料以形成第一柱凸块。从半导体结构去除第一光致抗蚀剂层，随后去除从第一柱凸块向外延伸的籽晶层的部分，籽晶层的一部分保留在第一柱凸块下方。

公开(公告)号：CN119856601A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065350.3

申请日：2023-09-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 公开了一种半导体器件和形成该器件的方法。该半导体器件包括底部电极、在底部电极上的磁性隧道结(MTJ)堆叠，以及在MTJ堆叠上的顶部电极(136，236)。该底部电极和顶部电极(136，236)中的至少一个电极包括掺杂的SiGeSn。

公开(公告)号：CN119856584A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065386.1

申请日：2023-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡武璋 ,  A·雷兹尼塞克 ,  M·里佐罗 ,  A·赵

IPC: H10B61/00

Abstract: 一种装置，包括背侧功率分布网络；背侧功率轨，其接合到该背侧功率分布网络；以及背侧接触通孔，其将至少一个线晶体管的前端耦接到该背侧功率轨；其中该背侧接触通孔包括基于柱的存储器设备。

公开(公告)号：CN119698939A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059080.5

申请日：2023-08-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  康宗圣 ,  D·施密特 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H10D62/10 ,  H10D84/03 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D30/43 ,  H10D64/00 ,  H10D30/01 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  B82Y10/00

Abstract: 环绕源极/漏极区的后侧接触为场效应晶体管和金属化层之间的电连接提供增加的接触面积。在设备层内形成的空腔暴露所选源/漏区的侧壁。后侧接触在此空腔内延伸并且邻接所选择的源极/漏极区的侧壁表面和底表面。

公开(公告)号：CN117223110A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280026597.X

申请日：2022-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷兹尼塞克 ,  谢瑞龙 ,  B·赫克马修阿塔巴里 ,  宁德雄

IPC: H01L29/775

Abstract: 竖直对齐且堆叠的半导体沟道层，由功函数金属和栅极电介质分开，栅极电介质部分地包围功函数金属且使功函数金属与每个半导体沟道层分开，功函数金属的第一部分直接接触每个层的竖直侧壁。竖直对齐和堆叠的第一组半导体沟道层和第二组半导体沟道层，由功函数金属分开，栅极电介质部分地包围功函数金属并且使功函数金属与每个半导体沟道层物理地分开，在第一组和第二组之间的功函数金属的第一部分直接接触每个层的侧壁。形成竖直对齐并堆叠的交替的牺牲层和半导体沟道层的初始堆叠体，形成竖直开口，从而创建纳米片层的第一堆叠体和纳米片层的第二堆叠体，并且暴露两个堆叠体的交替的层的竖直侧表面。

公开(公告)号：CN116806445A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280009258.0

申请日：2022-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  徐顺天 ,  李忠贤 ,  王仁祚 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H10B63/00

Abstract: 一种电子电路包括：多条字线；多条位线，在多个网格点处与所述多条字线相交；以及多个电阻式随机存取存储器单元，位于多个网格点处。电阻式随机存取存储器单元中的每一个包括：顶部金属(702)，耦合到以下中的一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；底部金属(704)，耦合到以下中的另一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；电介质(706)，夹在顶部金属与底部金属之间；以及高电阻半导体间隔件(701)，与电介质并联地将顶部金属和底部金属电连接。

公开(公告)号：CN115004395A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180011235.9

申请日：2021-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷兹尼塞克 ,  O·格鲁申克夫 ,  Y·苏勒里亚 ,  D·西尔

IPC: H01L43/08

Abstract: 在用作MRAM位的磁性隧道势垒支柱上方形成大晶粒金属位线，而不会实质上影响磁性隧道势垒的磁性性质。在柱上形成具有相对小晶粒的铜或铜合金位线。使用激光退火来熔化位线。随后的冷却和再结晶导致位线中晶界数目的减少和位线有效电阻率的减少。可以使用多个熔化/冷却循环。位线晶粒与所得结构中的柱竖直对准。