公开(公告)号：CN117158123A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280025298.4

申请日：2022-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  王俊利 ,  范淑贞

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种存储器设备包括两个相变存储器(PCM)单元和桥。第一PCM单元包括电输入和相变材料。第二PCM单元包括独立于第一PCM单元的电输入的电输入和另一相变材料。桥电连接到两个PCM单元。

公开(公告)号：CN110892523A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880047408.0

申请日：2018-07-16

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格芯公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 范淑贞 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  A·格林 ,  谢瑞龙 ,  M·V·雷蒙德 ,  S·连

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。

公开(公告)号：CN106024884B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610162011.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  玉仁祚 ,  山下典洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/118 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。

公开(公告)号：CN116547786A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180082200.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 康宗圣 ,  A·拉赫曼 ,  李桃 ,  范淑贞

IPC: H01L21/324

Abstract: 一种半导体结构包括两个或更多个垂直鳍、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的给定垂直鳍的底部部分的底部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的顶部部分的顶部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的中间部分的共享外延层以及接触所述底部外延层和所述顶部外延层的连接层，所述连接层被设置到所述两个或更多个垂直鳍的横向侧。

公开(公告)号：CN110678986B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880032182.7

申请日：2018-04-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘作光 ,  范淑贞 ,  吴恒 ,  山下典洪

IPC: H01L29/66

Abstract: 实施例涉及用于具有嵌入式底部金属触点的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底的掺杂区域上形成半导体鳍片。使与半导体鳍片相邻的掺杂区域的一部分凹陷，并且在凹陷部分上形成嵌入式触点。选择导电轨道的材料使得嵌入式触点的导电率高于掺杂区域的导电率。

公开(公告)号：CN106024884A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610162011.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  玉仁祚 ,  山下典洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/118 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。

公开(公告)号：CN102456617A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110329923.8

申请日：2011-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·W·考伯格三世 ,  D·V·霍拉克 ,  S·波诺斯 ,  杨智超 ,  范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构。所述方法包括：在一个或更多个半导体器件上沉积导电材料覆盖层；生成覆盖导电材料覆盖层的一部分的局部互连的图案；去除导电材料覆盖层的未被局部互连的图案覆盖的剩余部分；通过导电材料覆盖层的该部分形成局部互连以连接一个或更多个半导体器件。

公开(公告)号：CN119817190A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380062887.4

申请日：2023-08-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  范淑贞 ,  J·W·斯特朗 ,  谢瑞龙

IPC: H10D30/67 ,  H10D84/03 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构，包括垂直晶体管结构的鳍、在鳍的顶侧上的顶部源漏区、在鳍的底侧上的底部源漏区、以及在底部源漏区下方并且与底部源漏区接触的背侧接触部。

公开(公告)号：CN116601755A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180082374.0

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  E·米勒 ,  J·希勒 ,  范淑贞 ,  吴恒

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括：半导体结构中的第一凹陷区域，第一凹陷区域限定具有第一正锥形轮廓的第一开口，作为第一正锥形轮廓的至少一部分，以第一锥角在朝向半导体结构的顶部源极/漏极区的方向上加宽第一开口；以及第一开口内的顶部源极/漏极接触体，顶部源极/漏极接触体围绕顶部源极/漏极区的表面。该半导体结构还包括保护衬垫，其位于顶部源极/漏极区的底部部分、与顶部源极/漏极区相邻的顶部间隔体和两个连续的顶部源极/漏极区之间的电介质材料之间的界面处，保护衬垫在接触体图案化期间保护顶部源极/漏极区。

公开(公告)号：CN103210485B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180054728.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·V·霍拉克 ,  范淑贞 ,  T·E·斯坦戴特

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

Abstract: 本发明的实施例提供一种在取代金属栅极过程中形成用于晶体管的无边界接触(1001)的方法。该方法包括：在衬底上面形成栅极(102)，并且形成与栅极的侧壁相邻的间隔物(103)；降低间隔物的高度以暴露栅极的侧壁的顶部分；沉积覆盖间隔物和栅极的侧壁的上部分的蚀刻停止层(301)；在间隔物上方的层级并且在侧壁的上部分中制成开口(601)以暴露栅极；并且用新栅极材料(701)取代开口的栅极的材料，由此形成取代栅极。该方法还在包围栅极和间隔物的层级间电介质层中产生通路开口(901)，而通路开口暴露蚀刻停止层；去除蚀刻停止层并且用金属材料填充通路开口以形成无边界接触。