公开(公告)号：CN116547786A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180082200.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 康宗圣 ,  A·拉赫曼 ,  李桃 ,  范淑贞

IPC: H01L21/324

Abstract: 一种半导体结构包括两个或更多个垂直鳍、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的给定垂直鳍的底部部分的底部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的顶部部分的顶部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的中间部分的共享外延层以及接触所述底部外延层和所述顶部外延层的连接层，所述连接层被设置到所述两个或更多个垂直鳍的横向侧。

公开(公告)号：CN115088084A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180014221.2

申请日：2021-02-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 康宗圣 ,  李桃 ,  A·拉曼 ,  P·约瑟夫 ,  I·塞沙德里 ,  E·A·德西尔瓦

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体结构(100)包括具有多个垂直纳米线(106)的第一半导体沟道和具有多个垂直纳米线(106)的第二半导体沟道。第一半导体沟道和第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置。第一半导体沟道的多个垂直纳米线(106)被配置为相对于第二半导体沟道的多个垂直纳米线(106)处于交替位置。

公开(公告)号：CN115668498A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180038008.5

申请日：2021-06-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李桃 ,  康宗圣 ,  谢瑞龙 ,  A·雷茨尼采克 ,  O·格鲁斯臣科夫

IPC: H01L27/088

Abstract: 提供了半导体器件设计，具有掩埋电源轨(602)，该掩埋电源轨具有倾斜外延掩埋接触件(1702)。在一个方面，半导体FET器件包括：至少一个栅极，设置在衬底(202)上；源极和漏极(906)，在至少一个栅极的相对侧上，其中，源极和漏极(906)中的至少一个具有倾斜表面(1402)；掩埋电源轨(602)，其嵌入在衬底(202)中；以及掩埋接触件(1702)，其将掩埋电源轨(602)连接到至少一个源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)。侧壁间隔体(502)将掩埋电源轨(602)与衬底(202)分隔开。该至少源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)的顶部在该掩埋接触件(1702)的顶表面上方。还提供了形成半导体FET器件的方法。

公开(公告)号：CN115398648A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180029160.7

申请日：2021-04-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  C·雷登斯 ,  程慷果 ,  李俊涛 ,  郭德超 ,  李桃 ,  康宗圣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有不对称栅极叠置体的纳米片器件的方法和所得结构。在衬底(104)上形成纳米片叠置体(102)。该纳米片叠置体(102)包括交替的半导体层(108)和牺牲层(110)。牺牲衬层(202)形成在纳米片叠置体(102)上，并且电介质栅极结构(204)形成在纳米片叠置体(102)上和牺牲衬层(202)上。在牺牲层(110)的侧壁上形成第一内间隔物(302)。在纳米片叠置体(102)的沟道区上形成栅极(112)。栅极(112)包括在与纳米片叠置体(102)正交的方向上在衬底(104)上延伸的导电桥。在栅极(112)的侧壁上形成第二内间隔物(902)。第一内间隔物(302)在栅极(112)叠置体之前形成，而第二内间隔物(902)在栅极叠置体之后形成，因此，栅极(112)叠置体是不对称的。

公开(公告)号：CN119698939A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059080.5

申请日：2023-08-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  康宗圣 ,  D·施密特 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H10D62/10 ,  H10D84/03 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D30/43 ,  H10D64/00 ,  H10D30/01 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  B82Y10/00

Abstract: 环绕源极/漏极区的后侧接触为场效应晶体管和金属化层之间的电连接提供增加的接触面积。在设备层内形成的空腔暴露所选源/漏区的侧壁。后侧接触在此空腔内延伸并且邻接所选择的源极/漏极区的侧壁表面和底表面。

公开(公告)号：CN116615805A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202180082927.2

申请日：2021-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷兹尼切克 ,  康宗圣 ,  安藤崇志 ,  B·赫克马绍尔塔巴里

IPC: H01L29/66

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。该半导体结构包括在衬底上的两个相邻鳍状物(4)。栅极堆叠体在两个相邻鳍状物中的每个鳍状物上。该半导体结构包括在两个相邻鳍状物中的每个鳍状物的第一端上的第一源极/漏极以及在两个相邻鳍状物中的每个鳍状物的第二端上的第二源极/漏极。半导体结构包括位于两个相邻鳍状物中的每个鳍状物的第一端上的至少第一源极/漏极上的开关层(110)和位于开关层上的顶部电极(111)。金属材料(116)在半导体结构中的顶部电极之上。