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公开(公告)号：CN118355507A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080826.6
申请日：2022-11-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 谢瑞龙 , J·弗洛吉尔 , 王俊利 , 郭德超 , 鲍如强 , R·克里什南 , B·普拉纳瑟提哈兰
IPC: H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体结构，其包括堆叠在第二FET器件上的第一FET器件，其中第一FET器件包含含有第一功函数金属的第一功能栅极结构，并且第二FET器件包含含有第二功函数金属的第二功能栅极结构。在该结构中，第一功函数金属不存在于包括第二功函数金属的区域中，反之亦然。因此，在半导体结构中不存在共享功函数金属。
