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公开(公告)号：CN103811535A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/28008 , H01L29/0603 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN103811535B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811552B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310535821.0
申请日：2013-11-01
Applicant: 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。
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公开(公告)号：CN103811552A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310535821.0
申请日：2013-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L29/0603 , H01L29/66007 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。
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公开(公告)号：CN103715261B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310447383.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
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公开(公告)号：CN103872131A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310629718.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 本发明实施例包括具有外延生长的合并源极/漏极的多鳍型场效应晶体管结构及其形成方法。实施例可包括在基底基板上方的外延绝缘体层，在该外延绝缘体层上方的栅极结构，在该栅极结构下方的半导体鳍，以及在该外延绝缘体层上、邻近该半导体鳍的该端部的外延源极/漏极区域。该外延绝缘体层可以由生长于半导体基底基板上的外延稀土氧化物形成。实施例还可包括在半导体鳍的端部上、位于半导体鳍端部和外延源极/漏极区域之间的鳍延伸区域。在一些实施例中，在栅极结构下方的半导体鳍的端部可以形成凹陷。
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公开(公告)号：CN103715261A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310447383.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/66068
Abstract: 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
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