公开(公告)号：CN103811552B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310535821.0

申请日：2013-11-01

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  P.C.贾米森 ,  A.卡基菲鲁兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。

公开(公告)号：CN105975648A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610169497.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： A.J.约瑟夫 ,  R.M.马拉迪 ,  J.A.斯林克曼

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/66272 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7322 ,  Y02P90/265

Abstract: 一种双极晶体管结构、设计与制造双极晶体管的方法、设计具有双极晶体管的电路的方法。设计该双极晶体管的该方法包括：选择双极晶体管(图18的240)的初始设计；缩放该双极晶体管的该初始设计，以产生该双极晶体管的已缩放设计(245)；根据该缩放之后该双极晶体管的发射极的尺寸，决定是否需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿(250)；以及若需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿，则相对于该已缩放设计的发射极布局阶层的布局，调整该已缩放设计的沟槽隔离布局阶层的布局(255)，以产生该双极晶体管的应力补偿缩放设计(260)。

公开(公告)号：CN103811535A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN103811535B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN105659562B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480038695.0

申请日：2014-07-08

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： D.格里菲思 ,  A.A.杰德 ,  M.R.奥克斯

IPC: H04L29/08

Abstract: 在说明性实施例中提供了一种利用簇中并行性进行容障处理的方法、系统、以及计算机程序产品。在服务于簇中应用的第一计算节点中检测故障。从动作集合选择动作的子集，动作集合被配置为将应用的服务从簇中第一计算节点转递于第二计算节点。为第一计算节点设置等待周期。在等待周期期间允许第一计算节点继续服务于应用。在等待周期期间，在第二计算节点处，与服务于应用的第一计算节点并行地执行动作的子集。在等待周期期间，响应于从第一计算节点接收活动信号，退出第二计算节点的并行操作。

公开(公告)号：CN105659562A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480038695.0

申请日：2014-07-08

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： D.格里菲思 ,  A.A.杰德 ,  M.R.奥克斯

IPC: H04L29/08

CPC classification number: G06F11/2028 ,  G06F11/0751 ,  G06F11/2002 ,  G06F11/2025 ,  G06F11/2038 ,  G06F11/2048

Abstract: 在说明性实施例中提供了一种利用簇中并行性进行容障处理的方法、系统、以及计算机程序产品。在服务于簇中应用的第一计算节点中检测故障。从动作集合选择动作的子集，动作集合被配置为将应用的服务从簇中第一计算节点转递于第二计算节点。为第一计算节点设置等待周期。在等待周期期间允许第一计算节点继续服务于应用。在等待周期期间，在第二计算节点处，与服务于应用的第一计算节点并行地执行动作的子集。在等待周期期间，响应于从第一计算节点接收活动信号，退出第二计算节点的并行操作。

公开(公告)号：CN105659212A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480041419.X

申请日：2014-08-14

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： T.D.阿姆斯特朗 ,  D.C.博克斯特兰德 ,  W.B.奥伦 ,  E.C.普罗瑟 ,  K.C.沃森

IPC: G06F9/48

CPC classification number: G06F12/1009 ,  G06F9/45533 ,  G06F9/45558 ,  G06F2009/45575 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/151

Abstract: 在此描述的实施例标识与被选择用于休眠或者用于从一个计算系统迁移到另一个的虚拟机相关联的热页。例如，在休眠虚拟机之前，管理程序监视页表(即虚拟转换表)中的条目，以查看哪些数据页在页表中具有对应的条目。如果数据页在页表中具有对应的条目，则管理程序可以将该页指定为热的。在一个实施例中，管理程序可以更新页图，该页图列出与虚拟机相关联的数据页以及那些数据页是否被指定为热的。然后在休眠处理期间可以存储页图。在休眠的虚拟机被恢复之前，管理程序可以使用页图将热页加载到存储器中并且开始执行虚拟机。

公开(公告)号：CN105975648B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610169497.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： A.J.约瑟夫 ,  R.M.马拉迪 ,  J.A.斯林克曼

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/66272 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7322 ,  Y02P90/265

Abstract: 一种双极晶体管结构、设计与制造双极晶体管的方法、设计具有双极晶体管的电路的方法。设计该双极晶体管的该方法包括：选择双极晶体管(图18的240)的初始设计；缩放该双极晶体管的该初始设计，以产生该双极晶体管的已缩放设计(245)；根据该缩放之后该双极晶体管的发射极的尺寸，决定是否需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿(250)；以及若需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿，则相对于该已缩放设计的发射极布局阶层的布局，调整该已缩放设计的沟槽隔离布局阶层的布局(255)，以产生该双极晶体管的应力补偿缩放设计(260)。