公开(公告)号：CN118749129A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202380023197.8

申请日：2023-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·贾因 ,  S·穆克什 ,  D·S·格兰特 ,  P·罗伊乔杜里 ,  谢瑞龙 ,  崔起植

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括包含多个源极/漏极外延的晶体管。所述半导体器件还包括所述晶体管下方的至少一个背侧功率轨。所述半导体器件还包括位于多个源极/漏极外延和至少一个功率轨之间的背侧层间电介质(ILD)。所述半导体器件还包括将第一源极/漏极外延连接到所述至少一个背侧功率轨的第一背侧接触。所述半导体器件还包括形成在其它源极/漏极外延下面的一个或多个接触占位物。

公开(公告)号：CN119999355A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070072.0

申请日：2023-09-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张婧芸 ,  谢瑞龙 ,  J·弗洛吉尔 ,  鲍如强 ,  P·罗伊乔杜里

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D30/01 ,  H10D30/43

Abstract: 本发明的实施例涉及单片堆叠场效应晶体管(SFET)处理方法及产生的具有双中间电介质隔离(MDI)分隔的结构。在本发明的非限制性实施例中，形成了第一纳米片，并在所述第一纳米片上方垂直堆叠第二纳米片。在所述第一纳米片的沟道区域和所述第二纳米片的沟道区域周围形成栅极，并在所述第一纳米片和所述第二纳米片之间形成中间电介质隔离结构。所述中间电介质隔离结构包括第一中间电介质隔离层和垂直堆叠在所述第一中间电介质隔离层上方的第二中间电介质隔离层。所述栅极的一部分在所述中间电介质隔离结构中的所述第一中间电介质隔离层和所述第二中间电介质隔离层之间延伸。

公开(公告)号：CN119923967A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380066705.0

申请日：2023-08-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·穆克什 ,  李桃 ,  P·罗伊乔杜里 ,  覃丽巧 ,  N·贾恩 ,  谢瑞龙

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/01 ,  H10D84/00 ,  H10D84/83 ,  H10D64/23 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体结构，其包括第一FET器件区域，第一FET器件区域包括多个第一FET，多个第一FET中的每个第一FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第一源极/漏极区域(28)。第二FET器件区域堆叠在第一FET器件区域上方并且包括多个第二FET，多个第二FET中的每个第二FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第二源极/漏极区域(46)。该结构还包括邻近至少一个第一FET的第一源极/漏极区域中的一个第一源极/漏极区域定位的至少一个第一前侧接触占位体结构(32)，以及邻近至少一个第二FET的第二源极/漏极区域中的至少一个第二源极/漏极区域定位的至少一个第二前侧接触占位体结构(52)。