公开(公告)号：CN103811535A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN103811535B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN103811552B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310535821.0

申请日：2013-11-01

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  P.C.贾米森 ,  A.卡基菲鲁兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。

公开(公告)号：CN119817187A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380059958.5

申请日：2023-08-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·弗鲁吉尔 ,  谢瑞龙 ,  朴灿鲁 ,  成敏圭

IPC: H10D30/60 ,  G11C11/22

Abstract: 提供了一种铁电随机存取存储器(FeRAM)单元(10)。该FeRAM单元(10)包括在底部源极/漏极区域与顶部源极/漏极区域(630)之间的垂直通道(310)；围绕垂直通道(310)的栅极氧化(320)；以及围绕栅极氧化(320)的铁电层(400)，其中该铁电层(400)在底部源极/漏极区域与顶部源极/漏极区域(630)之间具有不同水平厚度的两个或两个以上区段。还提供了一种制造FeRAM单元(10)的方法。

公开(公告)号：CN113498555B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202080016933.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  J.弗鲁吉尔 ,  C.朴 ,  E.诺瓦克 ,  亓屹 ,  程慷果 ,  N.罗贝特

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，在衬底上形成纳米片堆叠。纳米片堆叠可以包括一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层。通过去除一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层的一部分来形成沟槽。所述沟槽暴露所述一个或多个第一牺牲层中的最底部牺牲层的表面。所述沟槽可填充有一或多个第二半导体层和一或多个第二牺牲层，使得所述一或多个第二半导体层中的每一个与所述一或多个第一半导体层中的一个的侧壁接触。

公开(公告)号：CN118103989A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068606.1

申请日：2022-09-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：邻近于源极/漏极区形成的栅极结构；以及在栅极结构与源极/漏极区之间形成的间隔物结构。该间隔物结构包括顶部间隔物和底部间隔物，该顶部间隔物包括具有比顶部部分更宽的底部部分的气隙。气隙的较宽底部部分位于栅极结构与源极/漏极区之间。

公开(公告)号：CN117898042A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280058006.7

申请日：2022-08-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  D·侯萨梅丁 ,  程慷果 ,  J·弗鲁吉尔 ,  B·多里斯

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种存储器器件，所述存储器器件包括定位在电极(55)上的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠(50)、与所述电极接触的金属线(60)、以及邻接所述MRAM堆叠的侧壁间隔体(47)。该存储器器件还包括台阶形穿通导体(43)，该台阶形穿通导体具有位于定位在侧壁间隔体与金属线之间的底切区域中的台阶形穿通导体的第一高度部分、以及具有比第一高度部分更大的高度尺寸并邻接侧壁间隔体的外侧壁的第二高度部分。

公开(公告)号：CN114270514A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059566.5

申请日：2020-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·帕克 ,  程慷果 ,  谢瑞龙 ,  李忠贤

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种包括垂直电阻式存储器单元的半导体结构及其制造方法。所述方法包括：在晶体管漏极接触件上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成第一电介质层；形成穿过所述第一电介质层的单元接触孔；形成穿过所述第一电介质层的接入接触孔并暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层由此形成连接所述单元接触孔的底部开口和所述接入接触孔的底部开口的腔体；在所述单元接触孔中通过原子层沉积形成包括接缝的第二电介质层；在所述空腔内形成底部电极，并且所述底部电极与所述漏极接触件、所述第二电介质层和所述接缝接触；以及在所述第一电介质层之上形成顶部电极，并且所述顶部电极与所述第二电介质层和所述接缝接触。

公开(公告)号：CN110637367A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880033250.1

申请日：2018-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·波尔格恩达赫尔 ,  E·迷尔乐尔 ,  F·L·利尔 ,  S·特涵 ,  程慷果 ,  J·R·斯普瑞尔 ,  G·卡尔维

IPC: H01L27/04

Abstract: 实施例针对具有超长沟道的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成一对半导体鳍片。在衬底上的半导体鳍之间形成半导体柱。在所有半导体鳍下方和部分半导体柱下方延伸的区域掺杂。在半导体鳍片的沟道区域和半导体柱上方形成导电栅极。当栅极被激活时，半导体柱的表面用作扩展的沟道。

公开(公告)号：CN106024887B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201610176485.9

申请日：2016-03-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克里施南 ,  程慷果 ,  P·哈舍米 ,  A·雷兹奈斯克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的各实施例涉及半导体器件及其形成方法。本发明的实施例包括一种用于制作纳米带晶体管器件的方法和所得结构。提供了一种纳米带晶体管器件，该纳米带晶体管器件包括衬底、纳米带沟道、在纳米带沟道的中心中的芯区域、在纳米带沟道周围形成的栅极、在栅极的每个侧壁上形成的间隔物以及与每个间隔物相邻外延地形成的源极和漏极区域。有选择地蚀刻在纳米带沟道的中心中的芯区域。在纳米带沟道的暴露的部分上沉积电介质材料。在纳米带沟道的芯内的电介质材料上和与纳米带晶体管器件相邻地在衬底上形成反向偏置控制区域。在反向偏置控制区域中形成金属触点。