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公开(公告)号：CN116548096A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180077864.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种装置，包括：磁性隧道结(MTJ)；扩散势垒，其中，所述MTJ位于所述扩散势垒上；以及底部触点，所述底部触点包括磁场生成部件，其中，所述扩散势垒位于所述底部触点的顶部，其中，由所述磁场生成部件所生成的磁场影响所述MTJ的稳定性。
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公开(公告)号：CN119234319A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041579.3
申请日：2023-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 与第一晶体管相邻的第一源漏区、与第二晶体管相邻的第二源漏区、在第一源漏区上方的上源漏接触、在第二源漏区下方的底部源漏接触，底部源漏接触和上源漏接触在相对两侧上，底部源漏接触的水平表面与围绕第二源漏区的介电侧间隔体的水平表面相邻。在实施例中，底部源漏接触围绕源漏区的垂直侧。一种方法，包括形成第一和第二纳米片堆叠，形成与第一纳米片堆叠相邻的第一源漏区的顶部源漏接触，形成与第二纳米片堆叠相邻的第二源漏区的下水平表面的底部源漏接触。
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公开(公告)号：CN119318217A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380042137.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10D30/43 , H10D62/10 , H01L21/768 , H01L21/283 , B82Y10/00 , H01L23/528 , H10D64/23 , H10D64/27 , H10D30/01
Abstract: 第一源极漏极区(254)和第二源极漏极区(254)，连接到第一源极漏极区的上部源极漏极接触部(266)，连接到第二源极漏极区的底部源极漏极接触部(282)，电介质间隔件(280)围绕底部源极漏极接触部的相对的垂直侧表面并且与底部隔离区的垂直侧表面和下水平表面重叠。底部源极漏极接触部(282)的宽度宽于第二源极漏极(254)的宽度。在第一和第二纳米片堆叠(212,264,234)之间和下方的开口中形成非掺杂的硅缓冲外延(250)，形成接触部至与其相邻的第一源极漏极，去除第一和第二纳米片堆叠之间的第二源极漏极下方的非掺杂的硅缓冲外延，形成底部接触部，底部接触部的宽度宽于第二源极漏极的宽度。
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