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公开(公告)号：CN101395720A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007826.9
申请日：2007-03-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/02
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种接触冶金结构，包括在衬底上的具有腔的构图的介质层；位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层；包括Ti或Ti/TiN的接触层，位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层；位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层；位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层；使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时，在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时，例如钌、铑、铂、或铱，不需要所述籽晶层。
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公开(公告)号：CN1514473A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310113085.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: C04B35/58 , C04B35/58085 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01L21/28518 , H01L21/76889
Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。
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公开(公告)号：CN100587917C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200580047267.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302 , H01L29/745
CPC classification number: H01L21/2885 , C25D3/50 , C25D5/02 , C25D5/024 , C25D5/54 , C25D7/123 , C25D9/04 , C25F3/14 , H01L21/28079 , H01L21/28114 , H01L21/76885 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。
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公开(公告)号：CN101233611A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027442.9
申请日：2006-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： H·M·内伊费 , M·库玛尔 , 方隼飞 , J·T·凯德齐尔斯基 , C·小卡布拉尔
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/4763 , H01L29/00
CPC classification number: H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 描述了一种MOSFET结构以及形成方法。所述方法包括：形成含金属层(56)，所述含金属层(56)厚得足以将在第一MOSFET型区域(40)中的半导体层(22)全转变为半导体金属合金，但仅厚得足以将第二MOSFET型区域(30)中的半导体层(20)部分转变为半导体金属合金。在一个实施方式中，在形成含金属层(56)之前，使第一MOSFET区域(40)中的栅叠层凹进，使得第一MOSFET半导体叠层的高度小于第二MOSFET半导体叠层的高度。在另一实施方式中，在转变工艺之前，相对于第二类型MOSFET区域(30)，使第一类型MOSFET区域(40)上方的含金属层(56)变薄。
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公开(公告)号：CN101111927A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047267.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302 , H01L29/745
CPC classification number: H01L21/2885 , C25D3/50 , C25D5/02 , C25D5/024 , C25D5/54 , C25D7/123 , C25D9/04 , C25F3/14 , H01L21/28079 , H01L21/28114 , H01L21/76885 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。
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公开(公告)号：CN1846313A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025650.6
申请日：2004-08-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/4763
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28079 , H01L29/4958
Abstract: 提供了一种用于高性能器件的金属替换栅极的结构和方法。首先在半导体衬底(240)上提供的蚀刻停止层(250)上形成牺牲栅极结构(260)。在所述牺牲栅极结构(300)的侧壁上提供一对隔离物(400)。然后去除所述牺牲栅极结构(300)，形成开口(600)。然后，在所述隔离物(400)之间的所述开口(600)中形成金属栅极(1000)，所述金属栅极(1000)包括例如钨的金属的第一层(700)，例如氮化钛的扩散阻挡层(800)，以及例如钨的金属的第二层(900)。
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公开(公告)号：CN116529854A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180076561.8
申请日：2021-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/301
Abstract: 提供一种从晶片(200)个体化IC芯片的方法。该方法可以包括接收具有形成在有源层下方的衬底(302)的晶片(200)。晶片(200)包括芯片，芯片包括有源层的第一部分和衬底(302)的第一部分。通过使用蚀刻工艺去除在晶片的第一分离通道下面的有源层的第一部分和衬底(302)的第一部分来形成分离沟槽(220A’)。所述分离沟槽(220A’)将所述有源层的所述第一部分与所述有源层的剩余部分分离；并将衬底(302)的第一部分与衬底(302)的剩余部分分离。通过去除在衬底(302)的第一部分下面的衬底(302)的剩余部分的第一部分，将第一IC芯片与晶片(200)分离。
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公开(公告)号：CN100369219C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200310113085.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: C04B35/58 , C04B35/58085 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01L21/28518 , H01L21/76889
Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。
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公开(公告)号：CN103403858A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011970.0
申请日：2012-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L23/53266 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。
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公开(公告)号：CN1846313B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200480025650.6
申请日：2004-08-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/4763
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28079 , H01L29/4958
Abstract: 提供了一种用于高性能器件的金属替换栅极的结构和方法。首先在半导体衬底(240)上提供的蚀刻停止层(250)上形成牺牲栅极结构(260)。在所述牺牲栅极结构(300)的侧壁上提供一对隔离物(400)。然后去除所述牺牲栅极结构(300)，形成开口(600)。然后，在所述隔离物(400)之间的所述开口(600)中形成金属栅极(1000)，所述金属栅极(1000)包括例如钨的金属的第一层(700)，例如氮化钛的扩散阻挡层(800)，以及例如钨的金属的第二层(900)。
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