公开(公告)号：CN100409437C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200610001263.X

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·布吕莱 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  L·M·吉纳克 ,  胡朝坤 ,  E·G·利宁格 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·M·罗斯纳格尔

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，用于在沉积级间介质或介质扩散阻挡层之前，用1-5nm厚的元素涂覆Cu镶嵌线的自由表面。该涂层提供防氧化保护，增加Cu和介质之间的粘附强度，并减小Cu的界面扩散。另外，薄覆盖层进一步增加了电迁移Cu寿命并减小了应力产生空隙。选定元素可以直接沉积在嵌入下层介质中的Cu上，而不引起Cu线之间的电短路。这些选定元素基于它们与氧和水的高负还原电势，和在Cu中的低溶解度并能与Cu形成化合物。

公开(公告)号：CN1825583A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001263.X

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·布吕莱 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  L·M·吉纳克 ,  胡朝坤 ,  E·G·利宁格 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·M·罗斯纳格尔

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，用于在沉积级间介质或介质扩散阻挡层之前，用1－5nm厚的元素涂覆Cu镶嵌线的自由表面。该涂层提供防氧化保护，增加Cu和介质之间的粘附强度，并减小Cu的界面扩散。另外，薄覆盖层进一步增加了电迁移Cu寿命并减小了应力产生空隙。选定元素可以直接沉积在嵌入下层介质中的Cu上，而不引起Cu线之间的电短路。这些选定元素基于它们与氧和水的高负还原电势，和在Cu中的低溶解度并能与Cu形成化合物。

公开(公告)号：CN1514473A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN200310113085.6

申请日：2003-12-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  C·德塔韦尼耶 ,  J·M·E·哈珀 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: C04B35/58 ,  C04B35/58085 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76889

Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。

公开(公告)号：CN100369219C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200310113085.6

申请日：2003-12-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  C·德塔韦尼耶 ,  J·M·E·哈珀 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: C04B35/58 ,  C04B35/58085 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76889

Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。