公开(公告)号：CN101233611A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027442.9

申请日：2006-08-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·M·内伊费 ,  M·库玛尔 ,  方隼飞 ,  J·T·凯德齐尔斯基 ,  C·小卡布拉尔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 描述了一种MOSFET结构以及形成方法。所述方法包括：形成含金属层(56)，所述含金属层(56)厚得足以将在第一MOSFET型区域(40)中的半导体层(22)全转变为半导体金属合金，但仅厚得足以将第二MOSFET型区域(30)中的半导体层(20)部分转变为半导体金属合金。在一个实施方式中，在形成含金属层(56)之前，使第一MOSFET区域(40)中的栅叠层凹进，使得第一MOSFET半导体叠层的高度小于第二MOSFET半导体叠层的高度。在另一实施方式中，在转变工艺之前，相对于第二类型MOSFET区域(30)，使第一类型MOSFET区域(40)上方的含金属层(56)变薄。