公开(公告)号：CN1233856A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99105191.2

申请日：1999-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  J·M·E·哈珀 ,  A·H·西蒙 ,  C·E·乌祖赫 ,  胡朝坤

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于提供与电子器件电联耦合的互连结构,该互连结构包括基本上由铜构成的主体和或者是铜合金或者是不含铜的金属构成的籽晶层,所说籽晶层夹在铜导电体和电子器件之间,用于改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。本发明还公开了形成用于提供与电子器件的电连接的互连结构的方法,包括以下步骤:首先在电子器件上淀积铜合金或不含铜的其它金属构成的籽晶层,然后在籽晶层上与之紧密键合地形成铜导电主体,以便改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。

公开(公告)号：CN1150619C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN99105191.2

申请日：1999-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  J·M·E·哈珀 ,  A·H·西蒙 ,  C·E·乌祖赫 ,  胡朝坤

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于提供与电子器件电联耦合的互连结构，该互连结构包括基本上由铜构成的主体和或者是铜合金或者是不含铜的金属构成的籽晶层，所说籽晶层夹在铜导电体和电子器件之间，用于改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。本发明还公开了形成用于提供与电子器件的电连接的互连结构的方法，包括以下步骤：首先在电子器件上淀积铜合金或不含铜的其它金属构成的籽晶层，然后在籽晶层上与之紧密键合地形成铜导电主体，以便改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。

公开(公告)号：CN1514473A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN200310113085.6

申请日：2003-12-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  C·德塔韦尼耶 ,  J·M·E·哈珀 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: C04B35/58 ,  C04B35/58085 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76889

Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。

公开(公告)号：CN100369219C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200310113085.6

申请日：2003-12-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  C·德塔韦尼耶 ,  J·M·E·哈珀 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: C04B35/58 ,  C04B35/58085 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76889

Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。