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公开(公告)号：CN114072537A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080049144.X
申请日：2020-07-10
IPC: C23C16/40
Abstract: 一种沉积亚化学计量金属氧化物的方法，该方法包括：选择包含金属和第一配体的第一前体；选择包含金属和第二配体的第二前体；在原子层沉积循环的第一脉冲期间将衬底(102)暴露于第一前体；在原子层沉积循环的第二脉冲期间将衬底(102)暴露于第二前体，第二脉冲在第一脉冲之后直接发生；在原子层沉积循环的第三脉冲期间将衬底(102)暴露于氧化剂。
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公开(公告)号：CN103871895A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310628242.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德半导体股份有限公司 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/41791
Abstract: 一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括：在基底上图案化鳍部，在布置在基底上的一部分鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层，在栅叠层、一部分鳍部及一部分绝缘层上方形成保护屏障，保护屏障包封栅叠层，第二绝缘层在部分鳍部和保护屏障上方沉积，执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分第二绝缘层而无需显著去除保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露鳍部的部分源区和漏区，并且导电材料在空腔内沉积。
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公开(公告)号：CN101842898A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880113646.3
申请日：2008-09-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/11 , H01L27/1108
Abstract: 本发明提供了用于组合彼此具有不同阈值电压要求的晶体管的技术。在一方面，一种半导体装置包含：基板，其具有第一和第二nFET区域，以及第一和第二pFET区域；在基板上的位于第一nFET区域上方的逻辑nFET；在基板上的位于第一pFET区域上方的逻辑pFET；在基板上的位于第二nFET区域上方的SRAM nFET；以及在基板上的位于第二pFET区域上方的SRAM pFET，各自包含栅堆叠，所述栅堆叠具有位于高K层上方的金属层。逻辑nFET栅堆叠还包含覆盖层，将金属层与高K层分开，其中覆盖层还被配置为相对于逻辑pFET、SRAM nFET、以及SRAM pFET中的一个或更多个的阈值电压，偏移逻辑nFET的阈值电压。
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公开(公告)号：CN101218684A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200580038832.1
申请日：2005-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： N·A·小博杰尔祖克 , C·小伽布拉尔 , E·A·卡蒂尔 , M·M·弗兰克 , E·P·古塞夫 , S·古哈 , P·C·杰米森 , R·詹米 , V·纳拉亚南 , V·K·帕鲁许里
IPC: H01L29/792 , H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/2822 , H01L21/823828 , H01L21/823857 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体结构，包括在栅介质和栅电极之间的Vt稳定层。该Vt稳定层能够将该结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其条件是，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底和所述栅介质中的至少一个含氮。本发明还提供制造这种结构的方法。
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公开(公告)号：CN103403804A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180059448.5
申请日：2011-12-01
IPC: G11C11/00
CPC classification number: H01L45/1608 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 所揭示的一个示范性实施例是一种相变存储单元。这种存储单元包括相变材料和被定位成接近相变材料的换能件。相变材料是可在至少一个非晶状态与结晶状态之间转换的材料。换能件被配置成在相变材料从非晶状态被改变到结晶状态时激活。在一个特定实施例中，换能件是铁电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102947917A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180016493.2
申请日：2011-03-15
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L29/66636 , H01L29/6684 , H01L29/7804 , H01L29/78391 , H01L29/7843 , H01L29/7848
Abstract: 本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。
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公开(公告)号：CN101814502A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010004777.7
申请日：2010-01-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 权彦五 , S·A·克里施南 , 安藤孝 , M·P·胡齐克 , M·M·弗兰克 , W·K·汉森 , R·杰哈 , 梁越 , V·纳拉亚南 , R·拉马钱德兰 , K·K·H·黄
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
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公开(公告)号：CN101097949A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126817.3
申请日：2007-06-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·杰米 , S·扎法 , V·K·帕鲁丘里 , 张立伦 , 韩金平 , M·M·弗兰克 , E·古谢夫 , K·K·陈 , D·A·布坎南 , E·A·卡蒂尔 , C·P·德埃米克
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。
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公开(公告)号：CN103403804B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180059448.5
申请日：2011-12-01
IPC: G11C11/00
CPC classification number: H01L45/1608 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0095 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 所揭示的一个示范性实施例是一种相变存储单元。这种存储单元包括相变材料和被定位成接近相变材料的换能件。相变材料是可在至少一个非晶状态与结晶状态之间转换的材料。换能件被配置成在相变材料从非晶状态被改变到结晶状态时激活。在一个特定实施例中，换能件是铁电材料。
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公开(公告)号：CN102947917B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180016493.2
申请日：2011-03-15
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L29/66636 , H01L29/6684 , H01L29/7804 , H01L29/78391 , H01L29/7843 , H01L29/7848
Abstract: 本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。
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