公开(公告)号：CN111095511A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880058875.3

申请日：2018-09-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 宗藤诚治 ,  C·苏布拉曼尼亚 ,  堀部晃启 ,  末冈邦昭 ,  甲田泰照

IPC: H01L21/66

Abstract: 芯片中间体包括包括多个芯片区域的半导体区域。所述芯片区域分别被切割为半导体芯片。沿着所述芯片区域的边缘设置切割区域，所述切割区域被切割以切出所述半导体芯片。在横跨所述切割区域的芯片区域的对面设置接触区域，所述接触区域被配置得与测试单元的探针接触以测试所述芯片区域，并且与切割区域一起连续地设置电气布线以连接所述芯片区域和所述接触区域。

公开(公告)号：CN116529854A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180076561.8

申请日：2021-10-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  F·R·利布什 ,  C·苏布拉曼尼亚 ,  P·J·索尔斯 ,  P·A·劳罗 ,  J·帕帕利亚

IPC: H01L21/301

Abstract: 提供一种从晶片(200)个体化IC芯片的方法。该方法可以包括接收具有形成在有源层下方的衬底(302)的晶片(200)。晶片(200)包括芯片，芯片包括有源层的第一部分和衬底(302)的第一部分。通过使用蚀刻工艺去除在晶片的第一分离通道下面的有源层的第一部分和衬底(302)的第一部分来形成分离沟槽(220A’)。所述分离沟槽(220A’)将所述有源层的所述第一部分与所述有源层的剩余部分分离；并将衬底(302)的第一部分与衬底(302)的剩余部分分离。通过去除在衬底(302)的第一部分下面的衬底(302)的剩余部分的第一部分，将第一IC芯片与晶片(200)分离。