公开(公告)号：CN103403858A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011970.0

申请日：2012-02-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·L·布朗 ,  J·布吕莱 ,  C·小卡布拉尔 ,  S·卡勒伽里 ,  M·M·弗兰克 ,  M·A·古罗恩 ,  M·霍普斯塔肯 ,  V·纳拉亚南 ,  K·黄洸汉

IPC: H01L21/70 ,  C23C14/06 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。

公开(公告)号：CN103718276B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280035916.X

申请日：2012-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  M·霍普斯塔肯 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。

公开(公告)号：CN103718276A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280035916.X

申请日：2012-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  M·霍普斯塔肯 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。