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公开(公告)号:CN101573779B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN200780049067.2
申请日:2007-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76283 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/7045 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01J37/3174 , H01L21/3081 , H01L21/823481 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标,并使用电子束光刻来形成第一组特征,以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标,并使用光学光刻来形成第二组特征,光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN104468501B
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201410494245.4
申请日:2014-09-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H04L63/1441 , G06F21/755 , H04L9/002 , H04L63/162
Abstract: 本发明涉及一种保护服务使用信息的安全方法和系统及负载再平衡控制器。提供了端点负载再平衡控制器,控制端点活动以抑制边信道变化的方法,以及用于控制端点活动以便抑制来自公共事业公司用户(例如来自电力公司端点)的信息中的边信道变化的计算机程序产品。所述负载再平衡控制器监视每个周期的端点服务使用,并预测下一个周期端点服务使用。只要所述控制器确定端点使用将表现出足够传达边信道活动中的活动信息的变化,所述控制器就再平衡下一个周期的活动。再平衡可包括将离线执行从一个周期移位到另一个周期,并设置在线执行活动的上限或增加在线执行活动。
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公开(公告)号:CN101573779A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200780049067.2
申请日:2007-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76283 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/7045 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01J37/3174 , H01L21/3081 , H01L21/823481 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标,并使用电子束光刻来形成第一组特征,以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标,并使用光学光刻来形成第二组特征,光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN104468501A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410494245.4
申请日:2014-09-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H04L63/1441 , G06F21/755 , H04L9/002 , H04L63/162 , G06F21/60 , G06Q50/06
Abstract: 本发明涉及一种保护服务使用信息的安全方法和系统及负载再平衡控制器。提供了端点负载再平衡控制器,控制端点活动以抑制边信道变化的方法,以及用于控制端点活动以便抑制来自公共事业公司用户(例如来自电力公司端点)的信息中的边信道变化的计算机程序产品。所述负载再平衡控制器监视每个周期的端点服务使用,并预测下一个周期端点服务使用。只要所述控制器确定端点使用将表现出足够传达边信道活动中的活动信息的变化,所述控制器就再平衡下一个周期的活动。再平衡可包括将离线执行从一个周期移位到另一个周期,并设置在线执行活动的上限或增加在线执行活动。
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公开(公告)号:CN101395720A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200780007826.9
申请日:2007-03-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/02
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种接触冶金结构,包括在衬底上的具有腔的构图的介质层;位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层;包括Ti或Ti/TiN的接触层,位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层;位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层;位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层;使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时,在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时,例如钌、铑、铂、或铱,不需要所述籽晶层。
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