公开(公告)号：CN100587917C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。

公开(公告)号：CN101111927A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。