半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109786468A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811344315.2

    申请日:2018-11-13

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/1054 H01L29/78648

    Abstract: 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备氧化物半导体TFT,氧化物半导体TFT具有:氧化物半导体层,其具有包含沟道氧化物半导体层和保护氧化物半导体层的层叠结构,沟道氧化物半导体层配置在比保护氧化物半导体层靠基板侧;上部栅极电极,其隔着上部绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上;层间绝缘层,其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极;以及第1和第2电极,其电连接到氧化物半导体层,还具有至少贯通层间绝缘层和保护氧化物半导体层并且使沟道氧化物半导体层的一部分露出的第1开口部,第1电极配置在层间绝缘层上和第1开口部内,在第1开口部内与沟道氧化物半导体层的一部分直接接触。

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