公开(公告)号：CN103403858A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011970.0

申请日：2012-02-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·L·布朗 ,  J·布吕莱 ,  C·小卡布拉尔 ,  S·卡勒伽里 ,  M·M·弗兰克 ,  M·A·古罗恩 ,  M·霍普斯塔肯 ,  V·纳拉亚南 ,  K·黄洸汉

IPC: H01L21/70 ,  C23C14/06 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。