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公开(公告)号：CN100587917C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200580047267.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302 , H01L29/745
CPC classification number: H01L21/2885 , C25D3/50 , C25D5/02 , C25D5/024 , C25D5/54 , C25D7/123 , C25D9/04 , C25F3/14 , H01L21/28079 , H01L21/28114 , H01L21/76885 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。
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公开(公告)号：CN101111927A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047267.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302 , H01L29/745
CPC classification number: H01L21/2885 , C25D3/50 , C25D5/02 , C25D5/024 , C25D5/54 , C25D7/123 , C25D9/04 , C25F3/14 , H01L21/28079 , H01L21/28114 , H01L21/76885 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。
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公开(公告)号：CN101488520A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910003572.4
申请日：2009-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/28 , C25D3/56
CPC classification number: C25D3/567 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 公开了用于互补金属氧化物半导体(“CMOS”)应用的稳定金属栅极电极和制作稳定的金属栅极电极的方法。具体而言，通过合金化来稳定金属栅极电极，其中合金包括从Re、Ru、Pt、Rh、Ni、Al及其组合中选择的金属和从W、V、Ti、Ta及其组合中选择的元素。
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公开(公告)号：CN101097949A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126817.3
申请日：2007-06-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·杰米 , S·扎法 , V·K·帕鲁丘里 , 张立伦 , 韩金平 , M·M·弗兰克 , E·古谢夫 , K·K·陈 , D·A·布坎南 , E·A·卡蒂尔 , C·P·德埃米克
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。
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