公开(公告)号：CN100529186C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200410077873.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·I·库珀 ,  B·K·弗曼 ,  D·L·拉思

IPC: C23F1/34

CPC classification number: C23G1/103 ,  C23C22/63 ,  C23F1/34 ,  H01L21/32134

Abstract: 通过使用含水组合物对铜和铜合金进行蚀刻以得到均匀而又光滑的表面，所述组合物包含氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和至少一种强络合剂的混合物以及水，其pH值是约6到约12以形成氧化的蚀刻控制层从而均匀地去除铜或铜合金；然后用非氧化性组合物去除氧化的蚀刻控制层。也提供了具有光滑上表面的铜和铜合金结构。

公开(公告)号：CN101119823B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580047087.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·C·安德里卡科斯 ,  D·F·卡纳佩里 ,  E·I·库珀 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  L·埃科诺米可斯 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·弗朗兹 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  M·克里希南 ,  A·P·曼森 ,  E·G·沃尔顿 ,  A·C·韦斯特

IPC: B23H3/00

CPC classification number: C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C09G1/04 ,  H01L21/32125

Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电-化学-机械抛光(e-CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。

公开(公告)号：CN1607268A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410077873.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·I·库珀 ,  B·K·弗曼 ,  D·L·拉思

IPC: C23F1/34

CPC classification number: C23G1/103 ,  C23C22/63 ,  C23F1/34 ,  H01L21/32134

Abstract: 通过使用含水组合物对铜和铜合金进行蚀刻以得到均匀而又光滑的表面，所述组合物包含氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和至少一种强络合剂的混合物以及水，其pH值是约6到约12以形成氧化的蚀刻控制层从而均匀地去除铜或铜合金；然后用非氧化性组合物去除氧化的蚀刻控制层。也提供了具有光滑上表面的铜和铜合金结构。

公开(公告)号：CN101119823A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580047087.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·C·安德里卡科斯 ,  D·F·卡纳佩里 ,  E·I·库珀 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  L·埃科诺米可斯 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·弗朗兹 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  M·克里希南 ,  A·P·曼森 ,  E·G·沃尔顿 ,  A·C·韦斯特

IPC: B23H3/00

CPC classification number: C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C09G1/04 ,  H01L21/32125

Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电－化学－机械抛光(e－CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。

公开(公告)号：CN100587917C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。

公开(公告)号：CN101111927A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。