公开(公告)号：CN1503345A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310103454.3

申请日：2003-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 徐顺天 ,  曾伟志 ,  D·D·雷斯塔伊诺 ,  J·E·弗吕格尔 ,  R·O·亨利 ,  J·M·科特 ,  M·克里希南 ,  H·德利吉安尼 ,  P·M·韦雷肯 ,  S·E·格雷科

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。

公开(公告)号：CN100587917C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。

公开(公告)号：CN101111927A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200580047267.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·韦雷肯 ,  V·巴斯克尔 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·I·库珀 ,  H·德利吉安尼 ,  M·M·弗兰克 ,  R·詹米 ,  V·K·帕鲁丘里 ,  K·L·森格尔 ,  邵晓燕

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。

公开(公告)号：CN101395720A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007826.9

申请日：2007-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  H·德利吉安尼 ,  R·F·克纳尔 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·罗斯纳格尔 ,  邵晓燕 ,  A·托波尔 ,  P·M·韦雷肯

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种接触冶金结构，包括在衬底上的具有腔的构图的介质层；位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层；包括Ti或Ti/TiN的接触层，位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层；位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层；位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层；使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时，在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时，例如钌、铑、铂、或铱，不需要所述籽晶层。

公开(公告)号：CN1292471C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310103454.3

申请日：2003-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 徐顺天 ,  曾伟志 ,  D·D·雷斯塔伊诺 ,  J·E·弗吕格尔 ,  R·O·亨利 ,  J·M·科特 ,  M·克里希南 ,  H·德利吉安尼 ,  P·M·韦雷肯 ,  S·E·格雷科

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。