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公开(公告)号：CN116153905A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310346969.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10N97/00
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述金属‑绝缘体‑金属电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括从所述上导电电极的下表面向外延伸的多个突起，其中，所述多个突起从所述上导电电极的最外侧壁向回设置非零距离。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN116190395A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210834478.9
申请日：2022-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括设置在具有第一半导体材料区域的衬底内的光电二极管区域。第二半导体材料区域设置在衬底上。图案化掺杂层布置在衬底和第二半导体材料区域之间。第二半导体材料区域包括连接至第二半导体材料区域的底面的侧壁。侧壁延伸穿过图案化掺杂层。第二半导体材料区域的底面位于光电二极管区域正上方。本申请的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN104051477B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310362353.1
申请日：2013-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。
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公开(公告)号：CN115939249A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210899190.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p‑n结处与p型区域相交。锗区域设置在p‑n结上方的凹槽内。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108615739A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710650714.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465680A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410426056.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN116632016A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210990024.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器包括硅衬底、布置在硅衬底中的锗区域、布置在硅衬底和锗区域之间的掺杂半导体隔离层、布置在锗区域上的重p掺杂区域、布置在硅衬底上的重n掺杂区域、布置在锗区域正下方的第一n型阱，布置在重n掺杂区域正下方的第二n型阱，以及布置在第一n型阱和第二n型阱下方并与第一n型阱和第二n型阱接触的深n型阱。
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公开(公告)号：CN108615739B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201710650714.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽；(d)移除所述间隔壁层；(e)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层；(f)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层；以及(g)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽，从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征。
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公开(公告)号：CN111128953A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910783369.7
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L49/02
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上的介电结构。多个导电互连层设置在介电结构内。多个导电互连层包括互连线和互连通孔的交替层。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器配置在介电结构内。MIM电容器具有通过电容器介电结构与上导电电极分离的下导电电极。MIM电容器垂直延伸穿过多个导电互连层中的两个或多个。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN104465680B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410426056.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。
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