公开(公告)号：CN113161420B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202110008411.5

申请日：2021-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈春元 ,  王俊智 ,  曾晓晖 ,  刘人诚 ,  施俊吉 ,  丁世泛 ,  吴尉壮 ,  江彦廷 ,  廖家庆 ,  陈彦瑜

IPC: H10D30/63 ,  H10D64/27 ,  H10D30/01

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。

公开(公告)号：CN116153905A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310346969.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  林荣义 ,  施俊吉 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  黄益民 ,  廖家庆 ,  洪升晖

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10N97/00

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述金属‑绝缘体‑金属电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括从所述上导电电极的下表面向外延伸的多个突起，其中，所述多个突起从所述上导电电极的最外侧壁向回设置非零距离。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN111128953A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910783369.7

申请日：2019-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  林荣义 ,  施俊吉 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  黄益民 ,  廖家庆 ,  洪升晖

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L49/02

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上的介电结构。多个导电互连层设置在介电结构内。多个导电互连层包括互连线和互连通孔的交替层。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器配置在介电结构内。MIM电容器具有通过电容器介电结构与上导电电极分离的下导电电极。MIM电容器垂直延伸穿过多个导电互连层中的两个或多个。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN113161420A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110008411.5

申请日：2021-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈春元 ,  王俊智 ,  曾晓晖 ,  刘人诚 ,  施俊吉 ,  丁世泛 ,  吴尉壮 ,  江彦廷 ,  廖家庆 ,  陈彦瑜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。