公开(公告)号：CN104051477A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310362353.1

申请日：2013-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志和 ,  江柏融 ,  苏柏菖 ,  陈启峰 ,  林荣义

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。

公开(公告)号：CN113363269A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110558088.9

申请日：2021-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈永祥 ,  叶玉隆 ,  陈彦秀 ,  苏柏菖 ,  陈政贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括位于衬底内的第一深沟槽隔离(DTI)结构。第一DTI结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构。介电结构位于阻挡结构和铜结构之间。阻挡结构位于衬底和介电结构之间。本申请的实施例还提供了用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110660817A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910184019.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  方俊杰 ,  苏柏菖 ,  杜建男 ,  叶玉隆 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104051477B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201310362353.1

申请日：2013-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志和 ,  江柏融 ,  苏柏菖 ,  陈启峰 ,  林荣义

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。

公开(公告)号：CN110660817B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910184019.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  方俊杰 ,  苏柏菖 ,  杜建男 ,  叶玉隆 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。