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公开(公告)号:CN108615739A
公开(公告)日:2018-10-02
申请号:CN201710650714.0
申请日:2017-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括:(a)使所述衬底的一部分凹陷,从而形成第一浅沟槽;(b)形成间隔壁层,所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分;以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模,使所述衬底进一步凹陷,以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。
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公开(公告)号:CN102280459A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110022363.1
申请日:2011-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供了在背照式半导体器件中减少暗电流的方法和器件。在一个实施例中,制造半导体器件的方法包括提供一种具有前表面和后表面的基板,和在基板中形成多个传感器元件,对多个传感器元件的每一个都进行配置成能够接收直接照在背表面的光。所述方法进一步包括在基板的背表面形成介电层,其中所述介电层具有压缩应力以在基板中产生拉伸应力。还公开了使用这种方法制造的背照式半导体器件。
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公开(公告)号:CN108615739B
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN201710650714.0
申请日:2017-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括:(a)使所述衬底的一部分凹陷,从而形成第一浅沟槽;(b)形成间隔壁层,所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分;(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模,使所述衬底进一步凹陷,以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽;(d)移除所述间隔壁层;(e)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层;(f)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层;以及(g)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽,从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征。
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公开(公告)号:CN104425643B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410317120.4
申请日:2014-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括:通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极;在衬底上方形成介电层;图案化衬底上方的介电层;在衬底上方形成光电转换层;以及在光电转换层上方形成彩色滤光层,其中,介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开,且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率,其中,第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。
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公开(公告)号:CN104425643A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410317120.4
申请日:2014-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括:通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极;在衬底上方形成介电层;图案化衬底上方的介电层;在衬底上方形成光电转换层;以及在光电转换层上方形成彩色滤光层,其中,介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开,且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率,其中,第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。
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