公开(公告)号：CN116314221A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310018096.3

申请日：2023-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  杨敦年 ,  王铨中 ,  徐铭杰 ,  徐伟诚 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括设置在衬底中的深沟槽隔离(DTI)结构。衬底的像素区域设置在DTI结构的内周界内。光电探测器设置在衬底的像素区域中。栅电极结构至少部分地位于衬底的像素区域上面。第一栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。第二栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。栅电极结构位于第一栅极介电结构的部分和第二栅极介电结构的部分上面。第一栅极介电结构具有第一厚度。第二栅极介电结构具有大于第一厚度的第二厚度。本申请的实施例还提供了用于形成图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN115939249A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210899190.X

申请日：2022-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简弘昌 ,  林荣义 ,  徐铭杰 ,  黄冠杰 ,  王子睿 ,  黄世民 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  朱怡欣 ,  陈祥麟

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p‑n结处与p型区域相交。锗区域设置在p‑n结上方的凹槽内。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113299583A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110571813.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐铭杰 ,  许敬荣 ,  赖启栋 ,  杨丰安 ,  江芳彬 ,  陈勇龙

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种化学品分配系统能够通过使用独立的化学品供应管线同时供应用于生产及测试的半导体处理化学品，这会减少相关联半导体工艺的生产停工时间，增加半导体工艺的生产量及能力，和/或类似情况。此外，同时供应用于生产及测试的半导体处理化学品的能力允许在对生产的冲击最小的情况下增加要测试的半导体处理化学品批次的数量，这会增加对半导体处理化学品的品质控制。此外，独立的化学品供应管线可用于在通过过滤回路独立地过滤直接来自存储筒的半导体处理化学品的同时为生产供应半导体处理化学品。

公开(公告)号：CN104465848B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310684901.2

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  山下雄一郎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种形成光电二极管的方法。该方法包括：在衬底上方形成与第一像素相对应的第一底电极和与第二像素相对应的第二底电极；在衬底上方形成介电层；对衬底上方的介电层进行图案化；在衬底上方形成光转换层；以及在光转换层上方形成顶电极；在顶电极上方形成滤色镜层，其中，介电层的至少一部分使滤色镜层中与第一像素相对应的第一部分与滤色镜层中与第二像素相对应的第二部分分离，并且介电层的折射率低于滤色镜层的折射率。本发明还提供了一种光电二极管。

公开(公告)号：CN104465848A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310684901.2

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  山下雄一郎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种形成光电二极管的方法。该方法包括：在衬底上方形成与第一像素相对应的第一底电极和与第二像素相对应的第二底电极；在衬底上方形成介电层；对衬底上方的介电层进行图案化；在衬底上方形成光转换层；以及在光转换层上方形成顶电极；在顶电极上方形成滤色镜层，其中，介电层的至少一部分使滤色镜层中与第一像素相对应的第一部分与滤色镜层中与第二像素相对应的第二部分分离，并且介电层的折射率低于滤色镜层的折射率。本发明还提供了一种光电二极管。

公开(公告)号：CN104425643B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410317120.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  林稔杰 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02327

Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。

公开(公告)号：CN104425643A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410317120.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  林稔杰 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02327

Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。