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公开(公告)号：CN116153905A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310346969.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10N97/00
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述金属‑绝缘体‑金属电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括从所述上导电电极的下表面向外延伸的多个突起，其中，所述多个突起从所述上导电电极的最外侧壁向回设置非零距离。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN112563294B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010102519.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 高桥诚司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括各自设置在半导体衬底内的第一光电探测器及第二光电探测器。隔离结构从所述半导体衬底的前侧表面延伸到所述半导体衬底的后侧表面。所述前侧表面与所述后侧表面相对，且所述隔离结构在侧向上位于所述第一光电探测器与所述第二光电探测器之间。读出晶体管设置在所述半导体衬底的所述前侧表面上。所述读出晶体管的第一侧上覆在所述第一光电探测器上且所述读出晶体管的第二侧上覆在所述第二光电探测器上。所述第一侧与所述第二侧相对且所述读出晶体管在所述隔离结构之上连续地延伸。
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公开(公告)号：CN111129043B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201910468009.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 高桥诚司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露实施例涉及一种像素传感器、一种图像传感器及一种形成像素传感器的方法。本揭露实施例涉及的像素传感器包括位于半导体衬底中的第一对光探测器及第二对光探测器。第一对光探测器相对于定位在第一对光探测器之间的中点处的第一线而呈反射对称。第二对光探测器相对于在中心点处与第一线相交的第二线而呈反射对称。上覆在半导体衬底上的第一组多个晶体管在侧向上相对于第一对光探测器偏置。上覆在半导体衬底上的第二组多个晶体管在侧向上相对于所述第一组多个晶体管偏置。第一对光探测器及第二对光探测器在侧向上位于所述第一组多个晶体管与所述第二组多个晶体管之间。所述第一组多个晶体管与所述第二组多个晶体管相对于中心点而呈点对称。
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公开(公告)号：CN112490255A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201911223247.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种CMOS图像传感器和一种相关的形成方法，CMOS图像传感器具有将光电二极管与像素装置分离的掺杂隔离结构。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有将光电二极管与像素装置分离的掺杂隔离结构。光电二极管远离衬底的前侧布置在衬底内。像素装置安置于上覆光电二极管的衬底的前侧处且通过掺杂隔离结构与光电二极管分离。相较于其中光电二极管的上部部分通常布置在衬底的前侧的顶面处的先前图像传感器设计，现在光电二极管布置成远离顶面且为像素装置留出更多空间。因此，较大像素装置可布置在感测像素中，且可改进较短沟道效应和噪声级。
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公开(公告)号：CN111129043A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910468009.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 高桥诚司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露实施例涉及一种像素传感器、一种图像传感器及一种形成像素传感器的方法。本揭露实施例涉及的像素传感器包括位于半导体衬底中的第一对光探测器及第二对光探测器。第一对光探测器相对于定位在第一对光探测器之间的中点处的第一线而呈反射对称。第二对光探测器相对于在中心点处与第一线相交的第二线而呈反射对称。上覆在半导体衬底上的第一组多个晶体管在侧向上相对于第一对光探测器偏置。上覆在半导体衬底上的第二组多个晶体管在侧向上相对于所述第一组多个晶体管偏置。第一对光探测器及第二对光探测器在侧向上位于所述第一组多个晶体管与所述第二组多个晶体管之间。所述第一组多个晶体管与所述第二组多个晶体管相对于中心点而呈点对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584528B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010084295.0
申请日：2020-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括第一半导体衬底，第一半导体衬底具有光探测器及浮动扩散节点。转移栅极设置在第一半导体衬底之上，其中转移栅极至少部分地设置在光探测器的相对侧之间。第二半导体衬底与第一半导体衬底垂直地间隔开，其中第二半导体衬底包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。读出晶体管设置在第二半导体衬底上，其中第二表面设置在转移栅极与读出晶体管的栅极之间。第一导电触点电耦合到转移栅极且从转移栅极垂直地延伸穿过所述第一表面与所述第二表面二者。
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公开(公告)号：CN111584528A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010084295.0
申请日：2020-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括第一半导体衬底，第一半导体衬底具有光探测器及浮动扩散节点。转移栅极设置在第一半导体衬底之上，其中转移栅极至少部分地设置在光探测器的相对侧之间。第二半导体衬底与第一半导体衬底垂直地间隔开，其中第二半导体衬底包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。读出晶体管设置在第二半导体衬底上，其中第二表面设置在转移栅极与读出晶体管的栅极之间。第一导电触点电耦合到转移栅极且从转移栅极垂直地延伸穿过所述第一表面与所述第二表面二者。
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公开(公告)号：CN111584527B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911302172.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 高桥诚司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括光电探测器，所述光电探测器设置在半导体衬底中。浮动扩散节点设置在所述半导体衬底中且位于所述光电探测器上方。传输栅极电极上覆在所述光电探测器上。所述传输栅极电极具有顶部导电本体及底部导电本体，所述顶部导电本体上覆在所述半导体衬底的顶表面上，所述底部导电本体从所述顶部导电本体延伸到所述浮动扩散节点下方。所述顶部导电本体的一部分直接上覆在所述浮动扩散节点上。所述顶部导电本体的第一侧壁直接上覆在所述底部导电本体上。
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公开(公告)号：CN112563294A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010102519.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 高桥诚司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括各自设置在半导体衬底内的第一光电探测器及第二光电探测器。隔离结构从所述半导体衬底的前侧表面延伸到所述半导体衬底的后侧表面。所述前侧表面与所述后侧表面相对，且所述隔离结构在侧向上位于所述第一光电探测器与所述第二光电探测器之间。读出晶体管设置在所述半导体衬底的所述前侧表面上。所述读出晶体管的第一侧上覆在所述第一光电探测器上且所述读出晶体管的第二侧上覆在所述第二光电探测器上。所述第一侧与所述第二侧相对且所述读出晶体管在所述隔离结构之上连续地延伸。
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公开(公告)号：CN111128953A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910783369.7
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L49/02
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上的介电结构。多个导电互连层设置在介电结构内。多个导电互连层包括互连线和互连通孔的交替层。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器配置在介电结构内。MIM电容器具有通过电容器介电结构与上导电电极分离的下导电电极。MIM电容器垂直延伸穿过多个导电互连层中的两个或多个。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
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