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公开(公告)号：CN110970356B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910923380.9
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/535 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体布置。半导体布置包括位于衬底上方的第一导电元件和位于衬底上方的第二导电元件。介电区位于衬底的顶面上方并且位于第一导电元件和第二导电元件之间。导电结构在第一导电元件、第二导电元件和介电区上方。本发明的实施例还涉及形成半导体布置的方法。
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公开(公告)号：CN113823649A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110756491.2
申请日：2021-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供用于有效吸集杂质的半导体装置及其形成方法。在一些实施例中，半导体装置包括：基板；像素区，设置于基板中；隔离区，设置于基板中且邻近像素区内，其中隔离区包含晶种区，晶种区包含第一半导体材料；以及异质层，位于晶种区上，其异质层包含第二半导体材料，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的晶格常数。
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公开(公告)号：CN108615739A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710650714.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。
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公开(公告)号：CN107026180A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611038820.5
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN108615739B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201710650714.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽；(d)移除所述间隔壁层；(e)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层；(f)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层；以及(g)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽，从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026180B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201611038820.5
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN107086223A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201610728869.7
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14634 , H01L27/14683 , H01L27/1469
Abstract: 一种具有反射器的背面照射(Backside Illuminated；BSI)影像感测器是被提供。像素感测器是配置于半导体基材的底侧上，且此像素感测器包含光侦测器，其中此光侦测器配置于半导体基材内。内连接结构是配置于半导体基材和像素感测器下，且内连接结构包含内连接层和接触窗。其中，此接触窗是由内连接层延伸至像素感测器。反射器是配置于光侦测器下，且介于内连接层和光侦测器之间。反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。
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公开(公告)号：CN113823649B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202110756491.2
申请日：2021-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供用于有效吸集杂质的半导体装置及其形成方法。在一些实施例中，半导体装置包括：基板；像素区，设置于基板中；隔离区，设置于基板中且邻近像素区内，其中隔离区包含晶种区，晶种区包含第一半导体材料；以及异质层，位于晶种区上，其异质层包含第二半导体材料，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的晶格常数。
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公开(公告)号：CN109216209B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810580009.2
申请日：2018-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于形成集成电路(IC)封装件的方法。在一些实施例中，形成包括划线、第一IC管芯、第二IC管芯和钝化层的半导体工件。所述划线分离第一和第二IC管芯，并且钝化层覆盖第一和第二IC管芯。第一IC管芯包括电路和电耦合到电路的焊盘结构。焊盘结构包括第一焊盘、第二焊盘和桥。桥在划线内并将第一焊盘连接到第二焊盘。钝化层被图案化以暴露第一焊盘而不暴露第二焊盘，并且通过第一焊盘在电路上实施测试。沿着划线切割半导体工件以使第一和第二IC管芯个体化，并且移除桥。还提供了一种集成电路封装件。
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公开(公告)号：CN107452701A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710255926.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/08 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/034 , H01L2224/03616 , H01L2224/03622 , H01L2224/04042 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/0508 , H01L2224/05083 , H01L2224/05088 , H01L2224/05089 , H01L2224/05091 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05554 , H01L2224/05562 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2224/49173 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2924/013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L23/488 , H01L23/49534
Abstract: 本发明的一些实施例涉及集成电路(IC)的一种接合焊盘结构。在一个实施例中，接合结构包括接合焊盘和设置在接合焊盘下面的中间金属层。中间金属层具有第一面和第二面。第一通孔层与中间金属层的第一面接触。第一通孔层具有第一通孔图案。接合结构还包括与中间金属层的第二面接触的第二通孔层。第二通孔层具有不同于第一通孔图案的第二通孔图案。本发明实施例涉及用于改进接合的接合焊盘结构。
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