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公开(公告)号：CN112820744B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010519137.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 通过为反射器提供接地连接来解决降低图像传感装置(特别是近红外检测器)中的噪声的问题。反射器可通过将反射器耦合到衬底的接地区域的通孔来接地。衬底的接地区域可以是接近于衬底的表面形成的P+掺杂区域。具体来说，P+掺杂区域可以是光电二极管的部分。替代地，反射器可通过形成在衬底的前侧上方的金属内连线结构来接地。
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公开(公告)号：CN116153905A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310346969.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10N97/00
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述金属‑绝缘体‑金属电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括从所述上导电电极的下表面向外延伸的多个突起，其中，所述多个突起从所述上导电电极的最外侧壁向回设置非零距离。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN111106135B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911011387.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底的像素区域内的图像感测元件。多个导电互连层设置在沿着衬底的第一侧布置的介电结构内。衬底的第二侧包括布置在图像感测元件正上方的多个内表面。多个内表面分别包括沿着平面延伸的基本平坦的表面。根据本申请的实施例，还提供了集成芯片以及形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN109841641B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811124968.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。
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公开(公告)号：CN111106135A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911011387.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底的像素区域内的图像感测元件。多个导电互连层设置在沿着衬底的第一侧布置的介电结构内。衬底的第二侧包括布置在图像感测元件正上方的多个内表面。多个内表面分别包括沿着平面延伸的基本平坦的表面。根据本申请的实施例，还提供了集成芯片以及形成集成芯片的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376538B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110031192.9
申请日：2011-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0629
Abstract: 本发明提供形成多晶硅电阻装置的方法以及半导体装置。在一实施例中，该方法包括在基板第一区形成虚设栅极堆叠，其中虚设栅极堆叠具有虚设栅极堆叠厚度。在基板第二区形成多晶硅电阻，其中多晶硅电阻具有多晶硅电阻厚度，此距离小于虚设栅极堆叠的厚度。在基板第一区中注入掺质以形成源极/漏极区。在多晶硅电阻中注入掺质。在虚设栅极堆叠及多晶硅电阻上形成层间介电层，使其平坦化，而暴露出虚设栅极堆叠而在多晶硅电阻上留下部分的层间介电层。以高介电常数金属栅极取代虚设栅极堆叠，并以层间介电层作为掩模，以保护多晶硅电阻。本发明可降低制造工艺的复杂性及花费。
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公开(公告)号：CN102263087B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201010589516.6
申请日：2010-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/265 , H01L21/285 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/30608 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基板，具有一第一应变区与一第二应变区；一第一晶体管，具有一第一栅极，第一栅极设置于基板上，第一应变区与第一栅极之间间隔一第一间距；以及一第二晶体管，具有一第二栅极，第二栅极设置于基板上，第二应变区与第二栅极之间间隔一第二间距，且第二间距大于第一间距。本发明可提供关于最佳化的弹性的优点。此外，可调整离子注入工艺以调整基板区域的注入部分的横向蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN112397485B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201911155057.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 黄益民
IPC: H01L23/64 , H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括电容器的集成电路。所述电容器位于衬底之上且包括第一电极，所述第一电极具有在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层。所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层。第二电极包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层。所述多个第二电极层分别在多个第二连接区中接触相邻的第二电极层。所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间。电容器介电结构将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开。还提供一种形成沟槽电容器的方法。
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公开(公告)号：CN109860213B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201810926999.0
申请日：2018-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及一种半导体图像传感器及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体图像传感器包含：第一衬底，其包含第一前侧及第一后侧；第一互连结构，其放置于第一衬底的第一前侧上方；第二衬底，其包含第二前侧及第二后侧；第二互连结构，其放置于第二衬底的第二前侧上方；第三衬底，其包含第三前侧及第三后侧；及第三互连结构，其放置于第三衬底的第三前侧上方。第一衬底包含多个第一感测装置，且第二衬底包含多个第二感测装置。第二衬底的第二后侧面向第一衬底的第一前侧，且第二衬底的第二前侧面向第三衬底的第三前侧。
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公开(公告)号：CN109841641A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811124968.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。
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