公开(公告)号：CN108615739B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201710650714.0

申请日：2017-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李岳川 ,  陈嘉展 ,  林荣义 ,  林稔杰 ,  李志煌 ,  陈达欣

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽；(d)移除所述间隔壁层；(e)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层；(f)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层；以及(g)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽，从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征。

公开(公告)号：CN108615739A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710650714.0

申请日：2017-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李岳川 ,  陈嘉展 ,  林荣义 ,  林稔杰 ,  李志煌 ,  陈达欣

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。

公开(公告)号：CN109427830A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711173518.5

申请日：2017-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉展 ,  李岳川 ,  李志煌 ,  陈达欣 ,  黄仕贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种光传感器装置及其制造方法。所述光传感器装置包括至少一个像素单元。所述至少一个像素单元包括由半导体材料形成的衬底且包括第一光传感器区及第二光传感器区。第一光传感器区设置在所述衬底中且包含第一导电类型的第一掺杂剂。第二光传感器区设置在所述第一光传感器区上方且包含第二导电类型的第二掺杂剂。所述第二光传感器区中可具有从外边缘往中心部分增大的掺杂剂浓度。