公开(公告)号：CN104733431B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410790320.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  戴志和 ,  黄敬泓 ,  何盈苍 ,  江柏融

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。

公开(公告)号：CN104733430B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410787169.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  林杏芝 ,  叶玉隆 ,  戴志和 ,  黄敬泓

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构及其形成方法。本发明提供了形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机理的实施例。金属‑绝缘体‑金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层，并且CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。MIM电容器结构还包括形成在CBM层上的第一高k介电层、形成在第一高k介电层上的绝缘层和形成在绝缘层上的第二高k介电层。MIM电容器结构还包括形成在第二高k介电层上的CTM层，并且CTM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。

公开(公告)号：CN104051477B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201310362353.1

申请日：2013-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志和 ,  江柏融 ,  苏柏菖 ,  陈启峰 ,  林荣义

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。

公开(公告)号：CN103247698B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210195494.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林泰群 ,  陈文昭 ,  戴志和 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105

Abstract: 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。

公开(公告)号：CN103247698A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210195494.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林泰群 ,  陈文昭 ,  戴志和 ,  毛明瑞 ,  蔡冠智

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105

Abstract: 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。

公开(公告)号：CN104733431A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410790320.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  戴志和 ,  黄敬泓 ,  何盈苍 ,  江柏融

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/75

Abstract: 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。

公开(公告)号：CN104733430A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410787169.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  林杏芝 ,  叶玉隆 ,  戴志和 ,  黄敬泓

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其形成方法。本发明提供了形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机理的实施例。金属-绝缘体-金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层，并且CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。MIM电容器结构还包括形成在CBM层上的第一高k介电层、形成在第一高k介电层上的绝缘层和形成在绝缘层上的第二高k介电层。MIM电容器结构还包括形成在第二高k介电层上的CTM层，并且CTM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。

公开(公告)号：CN104051477A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310362353.1

申请日：2013-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志和 ,  江柏融 ,  苏柏菖 ,  陈启峰 ,  林荣义

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。