公开(公告)号：CN116153905A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310346969.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  林荣义 ,  施俊吉 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  黄益民 ,  廖家庆 ,  洪升晖

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10N97/00

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述金属‑绝缘体‑金属电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括从所述上导电电极的下表面向外延伸的多个突起，其中，所述多个突起从所述上导电电极的最外侧壁向回设置非零距离。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN109841574A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810067968.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴尉壮 ,  洪丰基 ,  洪升晖 ,  陈春元 ,  江彦廷 ,  刘人诚 ,  王俊智 ,  杨敦年

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。

公开(公告)号：CN109841574B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201810067968.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴尉壮 ,  洪丰基 ,  洪升晖 ,  陈春元 ,  江彦廷 ,  刘人诚 ,  王俊智 ,  杨敦年

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。

公开(公告)号：CN111128953A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910783369.7

申请日：2019-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  林荣义 ,  施俊吉 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  黄益民 ,  廖家庆 ,  洪升晖

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L49/02

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上的介电结构。多个导电互连层设置在介电结构内。多个导电互连层包括互连线和互连通孔的交替层。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器配置在介电结构内。MIM电容器具有通过电容器介电结构与上导电电极分离的下导电电极。MIM电容器垂直延伸穿过多个导电互连层中的两个或多个。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。