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公开(公告)号：CN109728009B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201810926984.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相关制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有第一导电类型，所述衬底具有前表面及后表面；深沟槽隔离DTI，其从所述衬底的所述前表面朝向所述后表面延伸，所述DTI具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面齐平；外延层，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述外延层包围所述DTI的侧壁及所述第二表面；及注入区，其具有所述第一导电类型，所述注入区从所述衬底的所述前表面延伸到所述后表面。还揭露一种用于制造所述SPAD图像传感器的相关方法。
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公开(公告)号：CN115148750A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110918224.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括沿着衬底的像素。所述像素包括具有第一掺杂类型的第一半导体区。第二半导体区直接位于所述第一半导体区上方。所述第二半导体区具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且在p‑n结处与所述第一半导体区交汇。环形第三半导体区在侧向上围绕所述第一半导体区及所述第二半导体区。所述环形第三半导体区具有所述第一掺杂类型。环形第四半导体区在侧向上围绕所述环形第三半导体区。所述环形第四半导体区具有所述第二掺杂类型。环形第五半导体区直接位于所述环形第三半导体区上方，并具有所述第二掺杂类型。
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公开(公告)号：CN114709230A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210187727.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了背面二极管设计。描述了一种半导体器件，其包括通过位于第一管芯中的互连结构接合到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括：具有第一电极和第二电极的光电二极管，位于第一电介质层的第一侧上；以及位于第一电介质层中的第一互连结构、第二互连结构和第三互连结构。第一互连结构和第二互连结构分别连接到第一电极和与第一电极的极性相反的第二电极。第二互连结构和第三互连结构延伸到与第一电介质层的第一侧相反的第二侧。第二管芯包括第二电介质层和位于第二电介质层中的连接第二互连结构和第三互连结构的第四互连结构。
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公开(公告)号：CN109728009A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810926984.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相关制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有第一导电类型，所述衬底具有前表面及后表面；深沟槽隔离DTI，其从所述衬底的所述前表面朝向所述后表面延伸，所述DTI具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面齐平；外延层，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述外延层包围所述DTI的侧壁及所述第二表面；及注入区，其具有所述第一导电类型，所述注入区从所述衬底的所述前表面延伸到所述后表面。还揭露一种用于制造所述SPAD图像传感器的相关方法。
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公开(公告)号：CN103545324B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210414021.9
申请日：2012-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L24/06 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2924/12043
Abstract: 公开了封装背照式(BSI)图像传感器或BSI图像传感器和专用集成电路(ASIC)的方法和装置。接合焊盘阵列可以形成在BSI传感器的接合焊盘区中，其中接合焊盘阵列包括电互连的多个接合焊盘，其中接合焊盘阵列的每个接合焊盘具有小尺寸，这可减小大接合焊盘的碟盘效应。接合焊盘阵列的多个接合焊盘可以在焊盘的同一层或不同金属层互连。BSI传感器可以以面对面的方式接合到ASIC，其中接合焊盘阵列对准并接合在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916020A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210011643.7
申请日：2012-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/76232 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 一种电路结构包括了具有顶面的半导体衬底。介电材料从该顶面延伸到半导体衬底中。高k介电层由高k介电材料形成，其中，该高k介电层包括在介电材料的侧壁上的第一部分和在介电材料下面的第二部分。本发明还公开了一种浅沟道隔离件中的高k介电衬里。
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公开(公告)号：CN116544252A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310316871.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及背侧照明图像设备的结构和方法。一种图像传感器结构包括：第一衬底，具有前侧和背侧；光电检测器，设置在第一衬底的前侧上并且沿着第一方向横跨尺寸Dp；栅极电极，形成在第一衬底的前侧上并且部分地与光电检测器交叠；掺杂区域，作为浮动扩散区域，形成在第一衬底的前侧上并且被设置为靠近光电检测器；和互连结构，设置在第一衬底的前侧上并上覆于栅极电极。互连结构包括第一金属层和位于第一金属层之上的第二金属层，第二金属层还包括第一金属特征和第二金属特征，第一金属特征和第二金属特征沿着第一方向间隔开距离Ds，第一金属特征连接到掺杂区域，并且第一比Ds/Dp大于0.3。
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公开(公告)号：CN104425643B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410317120.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。
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公开(公告)号：CN104425643A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410317120.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。
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公开(公告)号：CN103378108A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210269091.X
申请日：2012-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/16
CPC classification number: H01L27/1469 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于封装背照式(BSI)图像传感器或者具有专用集成电路(ASIC)的传感器器件的方法和装置。根据实施例，传感器器件可不使用载具晶圆而与ASIC面对面接合在一起，其中传感器的接合焊盘相对应地以一对一的方式与ASIC的接合焊盘对准。传感器的一列像素可共用通过共用的内金属线连接的接合焊盘。接合焊盘可以具有不同的尺寸并且配置在以相互分离的不同行中。可增加附加的伪焊盘以增强传感器和ASIC之间的接合。本发明还公开了用于图像传感器封装的方法和装置。
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