公开(公告)号：CN115939249A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210899190.X

申请日：2022-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简弘昌 ,  林荣义 ,  徐铭杰 ,  黄冠杰 ,  王子睿 ,  黄世民 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  朱怡欣 ,  陈祥麟

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p‑n结处与p型区域相交。锗区域设置在p‑n结上方的凹槽内。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN221201182U

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202322728418.1

申请日：2023-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世民 ,  王子睿 ,  简弘昌 ,  王铨中 ,  林荣义 ,  黄冠杰 ,  许慈轩

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L23/48

Abstract: 本实用新型提供了具有无掺杂连接的结构及制造方法。示例性的结构包括：基底；形成在基底中且具有第一导电类型的第一区；位于基底之上的上覆层；形成在上覆层中且具有第二导电类型的井区；横向相邻于井区且延伸穿过上覆层而与第一区电接触的导电插塞；以及位于导电插塞与井区之间的钝化层。