公开(公告)号：CN116632016A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210990024.0

申请日：2022-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祥麟 ,  江欣益 ,  黄陈嵩文 ,  廖英凯 ,  林荣义 ,  朱怡欣 ,  黄冠杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器包括硅衬底、布置在硅衬底中的锗区域、布置在硅衬底和锗区域之间的掺杂半导体隔离层、布置在锗区域上的重p掺杂区域、布置在硅衬底上的重n掺杂区域、布置在锗区域正下方的第一n型阱，布置在重n掺杂区域正下方的第二n型阱，以及布置在第一n型阱和第二n型阱下方并与第一n型阱和第二n型阱接触的深n型阱。

公开(公告)号：CN118522740A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410510328.1

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祥麟 ,  朱怡欣 ,  廖英凯 ,  江欣益 ,  黄陈嵩文

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/04

Abstract: 本公开的各个实施例针对包括第一衬底的半导体结构，第一衬底包括第一半导体材料。第一光传感器设置在第一衬底内。第一光传感器配置为吸收第一波长范围内的电磁辐射。第二光传感器设置在第一衬底下面的吸收结构内。第二光传感器配置为吸收不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射。吸收结构位于第一光传感器下面，并且包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。本申请的实施例，还提供了堆叠集成电路结构及其形成方法。