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公开(公告)号：CN118522740A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410510328.1
申请日：2024-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/04
Abstract: 本公开的各个实施例针对包括第一衬底的半导体结构，第一衬底包括第一半导体材料。第一光传感器设置在第一衬底内。第一光传感器配置为吸收第一波长范围内的电磁辐射。第二光传感器设置在第一衬底下面的吸收结构内。第二光传感器配置为吸收不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射。吸收结构位于第一光传感器下面，并且包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。本申请的实施例，还提供了堆叠集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113948536A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110585730.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例针对具有用于降低暗电流的钝化层的图像传感器。器件层覆盖衬底。此外，盖层覆盖器件层。盖层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比盖层和衬底小的带隙。例如，盖层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电检测器位于器件层和盖层中，钝化层覆盖盖层。钝化层包括高k介电材料，并引起沿盖层的顶面的偶极矩的形成。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102074563B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200910178474.4
申请日：2009-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H04N3/155
Abstract: 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方，接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时，这些层有助于将光反射回图像传感器，也有助于防止过蚀刻产生的损害。
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公开(公告)号：CN113380841B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110103343.0
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及一种集成芯片。该集成芯片包括具有第一半导体材料的衬底。第二半导体材料设置在该第一半导体材料上。该第二半导体材料是IV族半导体或III‑V族化合物半导体。钝化层设置在该第二半导体材料上。该钝化层包括该第一半导体材料。第一掺杂区域及第二掺杂区域延伸穿过该钝化层并进入该第二半导体材料中。本发明的实施例还提供一种形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN114883351A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210254472.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法。本文公开了基于锗的传感器。示例性的基于锗的传感器包括锗光电二极管和结型场效应晶体管(JFET)，该结型场效应晶体管(JFET)由锗层形成，该锗层在一些实施例中设置在硅衬底中或者在一些实施例中设置在硅衬底上。在锗层和硅衬底之间设置掺杂硅层，该掺杂硅层可以通过原位掺杂外延生长的硅来形成。在锗层位于硅衬底上的实施例中，掺杂硅层设置在锗层和氧化物层之间。JFET具有掺杂多晶硅栅极，并且在一些实施例中，栅极扩散区域设置在锗层中并且在掺杂多晶硅栅极之下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675229A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110880144.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供具有优化的Ge‑Si界面的光学传感器的方法和结构包括提供具有像素区域和逻辑区域的衬底。在一些实施例中，该方法还包括在像素区域内形成沟槽。在各个示例中，并且在形成沟槽之后，该方法还包括沿着沟槽的侧壁和底面形成掺杂半导体层。在一些实施例中，该方法还包括在沟槽内和掺杂半导体层上方形成锗层。在一些示例中，并且在形成锗层之后，该方法还包括在锗层内形成光学传感器。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113380841A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110103343.0
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及一种集成芯片。该集成芯片包括具有第一半导体材料的衬底。第二半导体材料设置在该第一半导体材料上。该第二半导体材料是IV族半导体或III‑V族化合物半导体。钝化层设置在该第二半导体材料上。该钝化层包括该第一半导体材料。第一掺杂区域及第二掺杂区域延伸穿过该钝化层并进入该第二半导体材料中。本发明的实施例还提供一种形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN116632016A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210990024.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器包括硅衬底、布置在硅衬底中的锗区域、布置在硅衬底和锗区域之间的掺杂半导体隔离层、布置在锗区域上的重p掺杂区域、布置在硅衬底上的重n掺杂区域、布置在锗区域正下方的第一n型阱，布置在重n掺杂区域正下方的第二n型阱，以及布置在第一n型阱和第二n型阱下方并与第一n型阱和第二n型阱接触的深n型阱。
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公开(公告)号：CN113675229B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202110880144.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供具有优化的Ge‑Si界面的光学传感器的方法和结构包括提供具有像素区域和逻辑区域的衬底。在一些实施例中，该方法还包括在像素区域内形成沟槽。在各个示例中，并且在形成沟槽之后，该方法还包括沿着沟槽的侧壁和底面形成掺杂半导体层。在一些实施例中，该方法还包括在沟槽内和掺杂半导体层上方形成锗层。在一些示例中，并且在形成锗层之后，该方法还包括在锗层内形成光学传感器。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115566032A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210247028.X
申请日：2022-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像传感器及其形成方法。一种半导体图像传感器包含：第一衬底，其包含第一前侧及第一背侧；第二衬底，其包含第二前侧及第二背侧；第三衬底，其包含第三前侧及第三背侧；第一互连结构；及第二互连结构。所述第一衬底包含一层及在所述层中的第一光感测元件。所述层包含第一半导体材料，且所述第一光感测元件包含第二半导体材料。所述第二衬底接合到所述第一衬底，其中所述第二前侧面向所述第一背侧。所述第三衬底接合到所述第一衬底，其中所述第三前侧面向所述第一前侧。所述第一互连结构及所述第二互连结构放置于所述第一前侧与所述第三前侧之间。
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