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公开(公告)号：CN109216428B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201711344639.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的 晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在第二区域内，并且定向为第一方向，其中，第二鳍式有源区域具有沿着第一方向的 晶体方向。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN108231889B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201710950065.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 描述了包括二维(2‑D)材料的半导体结构及其制造方法。通过在诸如鳍式场效应晶体管(FET)的晶体管栅极构架中采用2‑D材料，本发明的半导体结构包括垂直栅极结构并且包含2‑D材料，诸如石墨烯、过渡金属二硫属化物(TMD)或磷烯。本发明的实施例还涉及具有垂直结构的2‑D材料晶体管。
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公开(公告)号：CN108122774A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710950405.5
申请日：2017-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 半导体结构包括与多个第二半导体层交错的多个第一半导体层。第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组分。在最上第一半导体层上方形成伪栅极堆叠件。实施第一蚀刻工艺以去除未设置在伪栅极堆叠件下面的第二半导体层的部分，从而形成多个空隙。第一蚀刻工艺在第一半导体层和第二半导体层之间具有蚀刻选择性。之后，实施第二蚀刻工艺以扩大空隙。本发明的实施例还涉及用于全环栅半导体结构的阈值电压调整。
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公开(公告)号：CN108074983A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711020362.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种制造多栅极半导体器件的方法，该方法包括提供具有多个第一类型外延层和多个第二类型外延层的鳍。在鳍的沟道区中去除第二类型外延层的第一层的第一部分，以在第一类型外延层的第一层和第一类型外延层的第二层之间形成开口。然后在开口中形成具有栅极电介质和栅电极的栅极结构的部分。介电材料形成为邻接栅极结构的该部分。本发明还提供了多栅极半导体器件。
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公开(公告)号：CN102214703A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010260685.5
申请日：2010-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/96 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78 , H01L29/7843
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基底；一电极，位于基底上方；一压电层，设置于基底和电极之间，当电极产生一电场时，压电层使基底产生应变。本发明提供的半导体元件和方法，能够于不同的操作下调整沟道的应变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102104041A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010228345.4
申请日：2010-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/43 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28123 , H01L21/823878 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种具有用以隔离装置的虚设结构的集成电路。此集成电路包含具有第一晶体管的第一运算元件、具有第二晶体管的第二运算元件、以及设置于第一晶体管与第二晶体管间的隔离晶体管，其中第一晶体管由第一成分所组成，第二晶体管由第一成分所组成，隔离晶体管由与第一成分不同的第二成分所组成。
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公开(公告)号：CN110957274B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910898439.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本发明实施例提供制造半导体结构的方法。所述方法的一者包括：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。
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公开(公告)号：CN109216428A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711344639.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的 晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在第二区域内，并且定向为第一方向，其中，第二鳍式有源区域具有沿着第一方向的 晶体方向。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN106711221A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610979819.6
申请日：2016-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/42392 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L29/78696 , H01L29/7855 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/4232 , H01L29/4236
Abstract: 一种多重栅极装置，包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一和第二磊晶层，由第一半导体材料组成。第二磊晶层配置于第一磊晶层上方。第一晶体管也包含第一栅极介电层和第一金属栅极层，第一栅极介电层环绕第一和第二磊晶层且从第一磊晶层的顶面延伸至第二磊晶层的底面，第一金属栅极层环绕第一栅极介电层。第二晶体管包含由第一半导体材料组成的第三磊晶层及由第二半导体组成的第四磊晶层，第四磊晶层直接配置于第三磊晶层上。第二晶体管也包含第二栅极介电层，且配置于第三和第四磊晶层上方且第二金属栅极层配置于第二栅极介电层上方。
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公开(公告)号：CN105609543A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510796896.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底，第一和第二源极/漏极(S/D)区，第一和第二S/D区之间的沟道，接合沟道的栅极，和连接到第一S/D区的接触部件。接触部件包括第一和第二接触层。第一接触层具有共形截面轮廓并在其至少两个侧面上与第一S/D区接触。在实施例中，第一接触层与第一S/D区的三个或四个侧面直接接触，以增大接触面积。第一接触层包括半导体-金属合金、III-V族半导体和锗中的一种。本发明实施例涉及用于高度缩放的晶体管的接触件。
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