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公开(公告)号：CN119694978A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411740921.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/64 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 一种形成封装结构的方法包括在晶圆的半导体衬底上形成集成电路器件，在晶圆中形成电压调节器，以及形成金属层作为晶圆的一部分。晶体管形成在比金属层离更远离半导体衬底处。晶体管包括连接到电压调节器的第一源极/漏极区，并且电压调节器被配置为将从第一源极/漏极区接收到的第一电压转换为低于第一电压的第二电压，并将第二电压提供给集成电路器件。电连接器形成在晶圆的表面上，并电连接到晶体管的第二源极/漏极区。本申请的实施例还公开了一种封装结构。
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公开(公告)号：CN114927476A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210187385.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了在半导体装置中形成双侧超级电源轨(dual‑side super power rail)的方法、以上述方法形成的半导体装置，以及测试半导体装置的方法。在一实施例中，一种半导体装置包括一晶体管结构；一前侧互连结构，位于此晶体管结构的一前侧上；及一背侧互连结构，位于此晶体管结构的一背侧上。此前侧互连结构包含一前侧电源输送网络(power delivery network；PDN)及一前侧输入/输出引脚。此背侧互连结构包含一背侧PDN。
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公开(公告)号：CN113206142A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110296383.1
申请日：2021-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/092
Abstract: 本公开的各种实施例是针对集成芯片，其包括分别从半导体基板垂直延伸的第一鳍片结构及第二鳍片结构。第一鳍片结构沿着第一方向横向延伸且具有第一宽度。第二鳍片结构沿着第一方向横向延伸且具有小于第一宽度的第二宽度。多个第一纳米结构位于第一鳍片结构的正上方且与第一鳍片结构垂直地分隔一不为零的距离。栅极电极沿着实质上垂直于第一方向的第二方向连续地横向延伸。栅极电极位于第一鳍片结构及第二鳍片结构的正上方，且包绕所述多个第一纳米结构。
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公开(公告)号：CN120072796A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411740920.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/50 , H01L21/48
Abstract: 半导体器件包括：半导体管芯，接合至集成电路管芯，其中，集成电路管芯包括具有至少50％的金属密度的第一互连结构；第一再分布结构，具有至少50％的金属密度，其中，第一互连结构接合至第一再分布结构；以及复合散热材料，位于第一互连结构的底面和第一再分布结构的顶面之间。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119447130A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411058496.8
申请日：2024-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 一种方法包括形成第一器件管芯和第二器件管芯。第一器件管芯包括第一集成电路以及位于第一器件管芯的第一表面处的第一接合焊盘。第一集成电路电连接至第一接合焊盘。第二器件管芯包括电源开关，电源开关包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域、电连接至第一源极/漏极区域的第二接合焊盘以及电连接至第二源极/漏极区域的第三接合焊盘。该方法还包括将第一器件管芯与第二器件管芯接合以形成第一封装件，其中第一接合焊盘接合至第三接合焊盘；以及将第一封装件接合至封装组件。本公开的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119275208A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411279405.3
申请日：2024-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 半导体封装件包括第一半导体管芯和接合在第一半导体管芯上方的第二半导体管芯。第二半导体管芯包括具有第一电源轨结构的第一背侧互连结构。集成电压调节器管芯接合在第二半导体管芯上方，从而使得集成电压调节器管芯电连接至第一电源轨结构。通孔位于第一半导体管芯上并且电耦合至第一半导体管芯。通孔设置在第二半导体管芯的外部并且与第二半导体管芯相邻。通孔也通过集成电压调节器管芯将第一半导体管芯电耦合至第二半导体管芯。本申请的实施例涉及半导体封装件和封装的方法。
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公开(公告)号：CN115312515A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210586233.9
申请日：2022-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/538 , H01L21/8238
Abstract: 公开了包括背侧电容器的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括第一晶体管结构；位于第一晶体管结构的前侧上的前侧互连结构，前侧互连结构包括前侧导线；位于第一晶体管结构的背侧上的背侧互连结构，背侧互连结构包括背侧导线，背侧导线具有大于前侧导线的线宽度的线宽度；以及耦合至背侧互连结构的第一电容器结构。
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公开(公告)号：CN114883263A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210237891.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开一种半导体装置。例示性半导体装置包括：形成在导电部件上方的介电层、形成在介电层上方的半导体堆叠物、第一金属栅极结构及第二金属栅极结构以及第一外延部件。半导体堆叠物包括向上堆叠且彼此分离的半导体层。第一金属栅极结构及第二金属栅极结构形成在半导体堆叠物的通道区域上方。第一金属栅极结构及第二金属栅极结构围绕半导体堆叠物的每个半导体层。第一外延部件设置在介于第一金属栅极结构及第二金属栅极结构之间且在半导体堆叠物的第一源极/漏极区域上方。第一外延部件延伸穿过介电层且接触导电部件。
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公开(公告)号：CN111129146A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911050799.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供半导体装置，其包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；硅化物层位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分。
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公开(公告)号：CN109427899A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711340793.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，在沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构。在栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层。牺牲层形成为使得从牺牲层暴露具有第一侧壁间隔物件层的栅极结构的上部，并且具有第一侧壁间隔件层的栅极结构的底部嵌入到牺牲层中。通过去除第一侧壁间隔件层的至少部分，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成间隔。在去除第一侧壁间隔件层之后，通过在栅极结构上方形成第二侧壁间隔件层，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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