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公开(公告)号：CN115566045A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210944135.8
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述一种半导体结构及其形成方法。方法可包括在基板上方形成鳍结构。鳍结构可包括第一牺牲层和第二牺牲层。方法可进一步包括在鳍结构的第一部分中形成凹陷结构，选择性蚀刻鳍结构的第二部分的第二牺牲层上方的鳍结构的第二部分的第一牺牲层，以及在蚀刻的第一牺牲层上形成内间隙壁层，且暴露鳍结构的第二部分的第二牺牲层。
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公开(公告)号：CN115497802A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210842277.3
申请日：2022-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置制造系统。半导体装置制造系统可包括一腔室和在腔室中的一离子源。离子源可包括一出口。离子源可配置来产生一粒子束。半导体装置制造系统可还包括一网格结构，邻近离子源的出口且配置来操控粒子束。网格结构的一第一部分可与网格结构的一第二部分电性绝缘。
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公开(公告)号：CN113690142A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110335578.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN112687621A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010837087.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供半导体装置结构及其形成方法。方法包含形成在半导体基底上形成虚设栅极堆叠，且在虚设栅极堆叠的侧壁上形成间隙物元件。间隙物元件具有内间隙物和虚设间隙物，且内间隙物在虚设间隙物与虚设栅极堆叠之间。方法也包含形成介电层环绕间隙物元件和虚设栅极堆叠，且以金属栅极堆叠取代虚设栅极堆叠。方法更包含移除间隙物元件的虚设间隙物以在内间隙物与介电层之间形成凹槽。此外，方法包含形成密封元件以密封凹槽，使得金属栅极堆叠与介电层之间形成密封孔洞。
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公开(公告)号：CN112447850A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010825697.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述用于形成包绕式栅极装置的技术，其中通过蚀刻交替地垂直堆叠在半导体层之间的缓冲层以释出半导体层。不同垂直高度堆叠的缓冲层包括不同的材料组成，相对于用于至少部分地去除缓冲层以释出半导体层的蚀刻剂，其产生不同的蚀刻速率。本公开还提供一种半导体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261507A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911126845.4
申请日：2019-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 一种用于制造半导体布置的方法包括执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分。第一蚀刻在第一层的侧壁的第一部分上形成第一保护层，并且第一保护层由副产物材料的第一累积形成，该副产物材料由第一蚀刻的蚀刻剂与半导体结构相互作用而形成。该方法包括执行第一闪蒸以去除第一保护层的至少一些。
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公开(公告)号：CN111128795A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911045780.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体制造设备，包括一来源腔室以及一加工腔室。来源腔室可操作以产生数个荷电粒子；加工腔室与来源腔室结合，且配置以从来源腔室接收荷电粒子。加工腔室包括一晶圆台以及一激光荷电粒子交互作用模块。晶圆台可操作以固定及移动晶圆；激光荷电粒子交互作用模块还包括一激光源、一光束分离器以及一反射镜。激光源产生第一激光光束；光束分离器配置以分离第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射镜配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新导向以与第二激光光束相交，以在荷电粒子的路径形成激光干涉图样，且激光干涉图样在微区域模式中调制荷电粒子，以使用被调制的荷电粒子加工晶圆。
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公开(公告)号：CN110783269A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910549771.9
申请日：2019-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。方法包括以下步骤：在基板上形成沿第一方向延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成第一层间介电层。形成横跨半导体鳍片并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极堆叠。在第一层间介电层上形成具有第一开口的图案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，第一开口在第二方向上延伸。第二开口形成在第一层间介电层中并且在延伸的第一开口下方。在第二开口中形成导电材料。
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公开(公告)号：CN110729193A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910642619.5
申请日：2019-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 形成气隙间隔物于半导体装置中的方法，包括提供装置，其含有栅极堆叠、多个间隔物层位于栅极堆叠的侧壁上、以及源极/漏极结构与栅极堆叠相邻。在一些实施例中，移除间隔物层的第一间隔物层，以形成气隙于栅极堆叠的侧壁上。在多种例子中，接着沉积第一密封层于气隙的顶部上以形成密封的气隙，并沉积第二密封层于第一密封层上。之后采用第一蚀刻制程，自源极/漏极结构上蚀刻第一自对准接点层。在多种实施例中，第一蚀刻制程选择性地蚀刻第一自对准接点层，而第一密封层与第二密封层维持未蚀刻。
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公开(公告)号：CN109841512A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811425883.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法。多个虚设栅极堆叠形成于半导体基材上方。层间介电层形成于这些虚设栅极堆叠上方。将位于这些虚设栅极堆叠的顶表面上方的层间介电层的第一部分移除，使得层间介电层的第二部分留在这些虚设栅极堆叠之间。以多个金属栅极堆叠取代这些虚设栅极堆叠。于层间介电层的第二部分的顶表面及金属栅极堆叠的顶表面上方施予水。施予中性NF3自由基至水中，以蚀刻层间介电层。
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